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公开(公告)号：JPWO2018180580A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：JP2018010404
申请日：2018-03-16
Applicant: 三菱電機株式会社
Abstract: 従来の半導体装置と比べて、電子部品が回路基板上に高密度に実装されている、または小型化されている半導体装置および電力変換装置を提供する。半導体素子(1)と、平面視において半導体素子(1)と重なるように配置されている回路基板(120)と、半導体素子(1)と回路基板(120)とを接続している端子部(4)とを備える。回路基板120)は半導体素子(1)側に向いた面上に形成された電極部(121)を含む。端子部(4)は、接合部材(122)により電極部(121)と接合されている。
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公开(公告)号：JPWO2017169134A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017004372
申请日：2017-02-07
Applicant: 三菱電機株式会社
CPC classification number: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/33 , H01L2224/40225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: パワーモジュール(1)は、第1の電極(44)を含む第1のパワー半導体素子(40)と、第1の受容部(24,27)を含む樹脂フレーム(20)と、第1のリードフレーム(50)とを備える。第1のリードフレーム(50)は、第1の電極(44)に対向する第1の主面(53)を有し、かつ、第1の電極(44)に電気的及び機械的に接続される。第1の受容部(24,27)は、第1のリードフレーム(50)の第1の主面(53)に対向し、第1のリードフレーム(50)の一部を受け入れる。そのため、パワーモジュール(1)は、高い信頼性を有するとともに、小型化され得る。
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公开(公告)号：JP6287789B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2014244959
申请日：2014-12-03
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L21/607 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L25/07
CPC classification number: H01L2224/29017 , H01L2224/29078 , H01L2224/32225 , H01L2224/8384
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公开(公告)号：JP6272512B2
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：JP2016571667
申请日：2015-09-14
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/40
CPC classification number: H01L23/473 , H01L21/4882 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/33 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H05K3/341 , H05K3/4015 , H05K2201/0373 , H05K2201/09681 , H05K2201/0969 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2017191846A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016080081
申请日：2016-04-13
Applicant: 三菱電機株式会社
CPC classification number: H01L2224/32225
Abstract: 【課題】温度サイクル下において半導体素子と外部電極との間をダイレクトリードボンディング方式により接合している接合部での異常発生が十分に抑制されている半導体装置を提供する。 【解決手段】第1主面1A(第1面)を有する半導体素子1と、第1面に面する第4主面2B(第2面)を有する外部電極2と、半導体素子1の第1面と外部電極2の第2面との間に配置されており、第1面に面する第6主面3B(第3面)と、第3面の反対側に位置し、かつ第2面に面する第5主面3A(第4面)とを有する緩衝部材3と、第1面と第3面とを接合している第1接合部材11と、第2面と第4面とを接合している第2接合部材12とを備える。緩衝部材3の熱膨張率は半導体素子1の熱膨張率と外部電極2の熱膨張率との間の値である。緩衝部材3の第3面および第4面の各面積は半導体素子1の第1面の面積の半分未満である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6195689B1
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2017516533
申请日：2016-11-04
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H05K7/20 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/40 , H01L2224/32225
Abstract: パワーモジュール(101)は、絶縁回路基板(1)と、半導体素子(3)と、第1の緩衝板(5)と、第1および第2の接合材(11)と、放熱部材(7)とを備えている。半導体素子(3)は絶縁回路基板(1)の一方の主表面(1a)側に配置される。第1の緩衝板(5)は絶縁回路基板(1)と半導体素子(3)との間に、第1の接合材(11)は絶縁回路基板(1)と第1の緩衝板(5)との間に、第2の接合材(11)は半導体素子(3)と第1の緩衝板(5)との間に配置される。放熱部材(7)は絶縁回路基板(1)の一方の主表面(1a)側と反対側の他方の主表面(1b)側に配置される。第1の接合材(11)は平面視において複数に分割されている。第1の緩衝板(5)の線膨張係数は、半導体素子(3)の線膨張係数より大きくかつ絶縁回路基板(1)の線膨張係数より小さい。第1の緩衝板(5)のヤング率は、半導体素子(3)のヤング率より小さい。
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公开(公告)号：JP6125089B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2016503934
申请日：2014-11-05
Applicant: 三菱電機株式会社
Inventor： 曽田 真之介
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L23/051 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/40225 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815
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公开(公告)号：JP2016134586A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015010243
申请日：2015-01-22
Applicant: 三菱電機株式会社
CPC classification number: H01L2224/32225
Abstract: 【課題】高い放熱性を有し、かつ放熱性の劣化が抑制されているパワー半導体モジュールを提供する。 【解決手段】パワー半導体素子1と、パワー半導体素子1を搭載している絶縁基板10と、絶縁基板10を介してパワー半導体素子1と接続されている放熱部材8と、絶縁基板10と放熱部材との間に配置されている応力緩和部材6とを備える。応力緩和部材6は、絶縁基板10とはんだ接合材7(第1接合部材)を介して接合されている第1の主面12Aと、放熱部材8とはんだ接合材7(第2接合部材)を介して接合されている第2の主面12Bとを含む。さらに、応力緩和部材6において、第1の主面12Aおよび第2の主面12Bの少なくとも一方に連なる1つ以上の空間が形成されている。はんだ接合材7は、当該空間の内部に入り込むように形成されており、かつ当該空間の内壁の少なくとも一部と接合されていない。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有高散热性能并抑制散热性能劣化的功率半导体模块。解决方案：功率半导体模块配备有：功率半导体元件1; 安装有功率半导体元件1的绝缘基板10; 通过绝缘基板10与功率半导体元件1连接的散热构件8; 以及设置在绝缘基板10和散热构件之间的应力缓和构件6。 应力缓和构件6包括：通过焊接接头材料7（第一接头构件）与绝缘基板10接合的第一主表面12A; 以及通过焊接接头材料7（第二接头构件）与散热构件8连接的第二主表面12B。 此外，在应力缓和构件6中，形成有至少第一主表面12A和第二主表面12B中的任一个的一个或多个空间。 焊接材料7形成为进入空间的内部，并且不与空间的内壁的至少一部分连接。图1：图1
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