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公开(公告)号：JP2016111031A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014243646
申请日：2014-12-02
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L2224/83138
Abstract: 【課題】半導体チップと基板との間の基板側はんだによる接合部の厚さを均一に規定するためのはんだ厚さ規定部材を基板側はんだ内に有する半導体装置において、基板側はんだによる接合部の厚さを均一に保ちつつ、はんだ厚さ規定部材を起点として発生するボイドによる半導体チップ割れを抑制することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を得る。 【解決手段】絶縁層の両面にはんだ接合可能な導体層を有する基板と、基板の導体層上にはんだ接合された半導体チップと、半導体チップ上にはんだ接合された電極と、を備え、半導体チップの一面は、基板の導体層に、はんだ接合部の厚さを均一にするためのはんだ厚さ規定部材を有する基板側はんだにより接合された半導体装置であって、はんだ厚さ規定部材は、半導体チップを隔てた反対側に電極側はんだが存在しない領域に配置される。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种半导体器件，在半导体器件中，在半导体器件中，在焊料厚度调节部件作为原点的同时，能够抑制由于发生空隙而导致的半导体芯片断裂，同时在基板侧的焊料接合处保持均匀的厚度 焊料厚度调节部件，用于限定半导体芯片和衬底之间的衬底侧上的焊点的均匀厚度，并提供制造半导体器件的方法。解决方案：半导体器件包括具有导体层的衬底，该衬底可以是 焊料接合到绝缘层的相对侧，连接到衬底的导体层上的半导体芯片焊料和连接到半导体芯片上的电极焊料，其中半导体芯片的一侧焊接到导体层的导体层 基板侧焊料具有用于制造厚度的焊料厚度调节部件 联合制服。 焊料厚度调节部件配置在半导体芯片的相反侧的区域，电极侧焊料不存在。选择的图：图1
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公开(公告)号：JP2015222759A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2014106168
申请日：2014-05-22
Applicant: 三菱電機株式会社
CPC classification number: H01L24/40 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
Abstract: 【課題】大出力化が進行しても、半導体素子とその上方の上部配線部材との間の接合材に加わるストレスを緩和させ、当該接合材の信頼性を向上させることが可能な電力半導体装置を提供する。 【解決手段】配線基板1と、半導体素子2と、上部配線部材3とを備えている。上部配線部材3は、コア配線部材3aと、コア配線部材3aの外側の表面上に形成される導通配線部材3bとを含んでいる。コア配線部材3aの線膨張率は導通配線部材3bの線膨張率よりも小さい。コア配線部材3aと半導体素子2との線膨張率の差は導通配線部材3bと半導体素子2との線膨張率の差よりも小さい。導通配線部材3bと接合材5との線膨張率の差はコア配線部材3aと接合材5との線膨張率の差よりも小さい。コア配線部材3aは、導通配線部材3bよりも、降伏応力または0.2%耐力の少なくともいずれかが大きい。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供能够减轻施加到半导体元件和上部布线构件之间的接合材料的应力的功率半导体器件，即使当输出增加时，也提高接合材料的可靠性。 解决方案：功率半导体器件包括布线板1，半导体元件2和上布线构件3.上布线构件3包括芯布线构件3a和形成在芯的外表面上的导电布线构件3b 接线部件3a。 芯布线构件3a的线膨胀系数小于导电布线构件3b的线膨胀系数。 芯配线构件3a与半导体元件2的线膨胀系数之差小于导电配线构件3b和半导体元件2的线膨胀系数之间的差。导电配线构件3b的线膨胀系数与 接合材料5小于芯配线构件3a和接合材料5的线膨胀系数之间。接合材料5的屈服应力和接合材料5中的至少一个方面比导电配线构件3b大。 0.2％抗压强度。
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公开(公告)号：JPWO2017149801A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016571431
申请日：2016-08-09
Applicant: 三菱電機株式会社
Inventor： 林 功明
IPC: H02M7/48
Abstract: この発明は、優れた耐振性および高い生産性を有する小型の電力変換装置を提供する。この発明の電力変換装置は、筐体と、筐体に固定されて、該筐体内に配置された冷却器と、冷却器に取り付けられたパワーモジュールと、パワーモジュールと電気的に接続されて、外周縁部を保持されて筐体内のパワーモジュールの冷却器と反対側に配置された第1制御基板と、第1制御基板と電気的に接続されて、外周縁部を保持されて筐体内の第1制御基板のパワーモジュールと反対側に配置された第2制御基板と、を備え、第1制御基板は、該第1制御基板の第2制御基板と反対側の面内を第1固定部材で冷却器又は筐体に固定され、第2制御基板は、該第2制御基板の第1制御基板と反対側の面内を第2固定部材で筐体に固定され、第1制御基板と第2制御基板が、該第1制御基板と該第2制御基板の相対する面内で電気的に接続されている。
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公开(公告)号：JP6242328B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2014243646
申请日：2014-12-02
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L2224/83138
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2017183222A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2016082199
申请日：2016-10-31
Applicant: 三菱電機株式会社
CPC classification number: H01L21/52 , H01L23/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225
Abstract: 熱伝導性が高く、かつ、工作性に優れた半導体装置を提供する。半導体装置101は、絶縁基板13と、半導体素子11と、ダイボンド材22と、接合材23と、冷却部材12とを備える。絶縁基板13は、絶縁セラミックス6と、絶縁セラミックス6の一方の面に設けられた導板5と、他方の面に設けられた導板7とを有する。半導体素子11は導板5上にダイボンド材22を介して設けられる。ダイボンド材22には焼結金属が採用される。半導体素子11はその曲げ強度が700MPa以上であり、厚さが0.05mm以上0.1mm以下である。冷却部材12は導板7に接合材23を介して接合される。
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公开(公告)号：JP6033522B1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2016551338
申请日：2015-10-13
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/12 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/40137 , H01L2924/0002 , H01L2924/181
Abstract: 冷熱サイクルが加わることにより繰り返し加わる熱応力に強く信頼性の高い絶縁回路基板、ならびに当該絶縁回路基板を含むパワーモジュールおよびパワーユニットを提供する。絶縁回路基板(100)は、絶縁基板(1)と、第1の電極(2a)と、第2の電極(2b)とを備えている。第1の電極(2a)は絶縁基板(1)の一方の主表面上に形成され、平面形状が多角形状である。第2の電極(2b)は絶縁基板(1)の一方の主表面と反対側の他方の主表面上に形成され、平面形状が多角形状である。第1および第2の電極(2a,2b)の少なくともいずれかの平面視における頂点(4)から外縁(5)に沿う方向に関して外縁(5)の長さの一部分を占める領域である角部に薄肉部(3)が形成され、薄肉部(3)は、薄肉部(3)以外の領域よりも厚みが薄い。
Abstract translation: 强绝缘可靠性电路板通过反复热循环被施加，以及电源模块和包括绝缘电路板上的功率单元施加的热应力。 绝缘电路板（100），包括：绝缘衬底（1），第一电极（2a）中，以及第二电极（2b）中。 在绝缘性基板（1）的一个主面上形成有第一电极（2a）中，平面形状是多边形。 形成在一个主表面的第二电极（2b）的相对侧上的绝缘性基板（1）的另一主表面上，平面形状为多边形形状。 第一和第二电极（2A，2B）在角是一个区域所占据的外边缘的长度的一部分相对于一个方向上沿着顶点（4）的外边缘（5）（5）在所述平面图中的至少一个 薄壁部（3）形成，所述薄壁部（3）比的区域比薄部分薄其他（3）。
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公开(公告)号：JPWO2017203650A1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2016065550
申请日：2016-05-26
Applicant: 三菱電機株式会社
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/52 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 電力用半導体装置において、半導体素子(3)の保護膜(33)の厚さ寸法を上側電極(34)よりも小さくしたので、金属焼結体(2)による接合時の上方向からの加圧によって保護膜(33)が押されることなく、保護膜(33)の傾斜面(33a)に乗り上げている上側電極(34)を引き剥がす力が働かないため、上側電極(34)の割れが発生せず半導体素子(3)の健全性が保たれる。また、半導体素子(3)の上側電極(34)にはんだ(6)により接合されるリード(7)を、線膨張係数を最適化した銅とインバーのクラッド材とすることにより、従来のワイヤボンドによるアルミニウム配線以上の耐久性を実現することができる。
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公开(公告)号：JP6272512B2
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：JP2016571667
申请日：2015-09-14
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/40
CPC classification number: H01L23/473 , H01L21/4882 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/33 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H05K3/341 , H05K3/4015 , H05K2201/0373 , H05K2201/09681 , H05K2201/0969 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
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