公开(公告)号：CN102328900A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110231784.5

申请日：2011-08-12

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 张挺 ,  郑晨焱 ,  夏佳杰 ,  谢志峰 ,  邵凯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289

Abstract: 本发明提供一种腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底，在硅基底上形成基底保护层；刻蚀基底保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；以基底保护层为掩模，刻蚀硅基底，在硅基底中形成多个凹槽；在多个凹槽的侧壁形成侧壁保护层；以基底保护层和侧壁保护层为掩模，继续刻蚀凹槽，在硅基底中形成多个深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀多个深槽，在硅基底内部形成腔体。本发明的制造方法属于正面加工工艺，不采用价格昂贵的背面工艺，其与传统的CMOS制造工艺完全兼容。本发明采用的工艺温度低于400度，并且形成腔体后基底的总厚度也大大减薄了。另外，本发明对工艺要求比较灵活，整个加工工艺稳定可靠，精度很高，并且成本较低。

公开(公告)号：CN102295269B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201110240289.0

申请日：2011-08-19

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 张挺 ,  夏佳杰 ,  谢志峰 ,  邵凯

IPC: H01L21/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种腔体封口工艺，包括：提供基底，其上形成有腔体，腔体上方有通孔；在基底上和通孔侧壁之间形成第一封口薄膜，其在通孔侧壁之间留有间隙；对基底作退火，在退火过程中进行热氧化，将第一封口薄膜氧化成第二封口薄膜，将通孔侧壁之间的间隙全部填满。本发明还提供一种腔体封口工艺，包括：提供基底，其上形成有腔体，腔体上方有通孔；在基底上和通孔侧壁之间形成封口薄膜，将腔体完全封口，但在通孔侧壁之间留有空隙；对基底作退火，在退火过程中进行热反应，在封口薄膜上方形成反应物薄膜。本发明采用成本较低的方法填充通孔，实现了腔体的密封，不但可以改善封口的密封强度，并且还能够改善插销状填充区域与通孔侧壁之间的应力。

公开(公告)号：CN102295269A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110240289.0

申请日：2011-08-19

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 张挺 ,  夏佳杰 ,  谢志峰 ,  邵凯

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种腔体封口工艺，包括：提供基底，其上形成有腔体，腔体上方有通孔；在基底上和通孔侧壁之间形成第一封口薄膜，其在通孔侧壁之间留有间隙；对基底作退火，在退火过程中进行热氧化，将第一封口薄膜氧化成第二封口薄膜，将通孔侧壁之间的间隙全部填满。本发明还提供一种腔体封口工艺，包括：提供基底，其上形成有腔体，腔体上方有通孔；在基底上和通孔侧壁之间形成封口薄膜，将腔体完全封口，但在通孔侧壁之间留有空隙；对基底作退火，在退火过程中进行热反应，在封口薄膜上方形成反应物薄膜。本发明采用成本较低的方法填充通孔，实现了腔体的密封，不但可以改善封口的密封强度，并且还能够改善插销状填充区域与通孔侧壁之间的应力。

公开(公告)号：CN102285637A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110272065.8

申请日：2011-09-14

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 夏佳杰 ,  张挺 ,  邵凯

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种带侧壁保护的腔体制造方法，包括：提供硅基底，在其上形成第一保护层；刻蚀第一保护层，形成多个窗口；刻蚀硅基底，在其中形成多个浅槽；在第一保护层表面和浅槽侧壁及底部淀积第二保护层；刻蚀第一保护层表面和浅槽底部的第二保护层，残留在浅槽侧壁上的第二保护层形成侧壁保护层；刻蚀浅槽，在硅基底中形成多个深槽；腐蚀多个深槽，在硅基底内部形成腔体；将侧壁保护层全部氧化，将腔体完全封闭；将第一保护层去除。此外，本发明还提供另一种带侧壁保护的腔体制造方法。本发明通过淀积重掺杂的多晶硅或者硅的氧化物的方式，在浅槽侧壁形成侧壁保护层，在后续的腔体腐蚀的过程中保护浅槽侧壁不受腐蚀，最终密封形成所需的腔体。