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公开(公告)号：CN107731709B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710679783.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种液处理装置和液处理方法。提供一种在向绕铅垂轴线旋转的晶圆供给清洗液而进行处理的液处理装置中抑制雾向晶圆的再次附着的技术。液处理装置设置有：引导构件(3)，其从水平地保持着的晶圆(W)的背面的周缘部朝向外侧下方形成有倾斜面(32)；包围构件(2)，其形成为包围晶圆(W)的圆筒状，其上缘部朝向内周侧向斜上方伸出，在其内表面侧的比水平地保持着的晶圆(W)的表面高度靠上方的位置在整周上形成有两根槽部(23)。若气流沿着包围构件(2)流动，则气流在槽部(23)中形成涡流，滞留在槽部(23)内，因此，能够捕捉雾，能够抑制雾向杯体(1)的外部流出。因而，能够抑制雾向晶圆(W)的附着。
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公开(公告)号：CN112445086A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010849612.3
申请日：2020-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 涉及显影处理方法和显影处理装置。降低形成对水的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。显影处理方法对基板上的抗蚀膜进行显影处理，包括：工序(A)，向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；工序(B)，向显影后的前述基板供给水系清洗液，用该水系清洗液对该基板进行清洗；工序(C)，在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在前述基板表面形成具有亲水性的亲水性层；和，工序(D)，对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗，前述工序(B)包括使前述基板的转速加速的工序(a)和在前述工序(a)后直至前述工序(C)开始之间使前述基板的转速减速的工序(b)，前述工序(b)中的减速度小于前述工序(a)中的加速度。
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公开(公告)号：CN104217979B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410232087.5
申请日：2014-05-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗方法。一边使基板旋转一边向基板的中心部依次喷射清洗液和气体，在使喷射清洗液和气体的喷嘴朝向基板的周缘侧移动之后，切换至设定在自第1清洗液喷嘴的移动轨迹偏离的位置上的第2清洗液喷嘴来喷射清洗液，一边喷射清洗液并喷射气体一边使两个喷嘴朝向基板的周缘侧移动，以使自第2清洗液喷嘴的喷射位置起到基板的中心部为止的距离与自气体喷嘴的喷射位置起到基板的中心部为止的距离之间的差逐渐变小的方式使各喷嘴移动。
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公开(公告)号：CN112447503A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010880215.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，对于抑制抗蚀图案的图案倒塌有效。本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：向形成有抗蚀膜的基板的表面供给用于形成抗蚀图案的显影液；执多次清洗处理，该清洗处理是向形成有抗蚀图案的基板的表面供给包含具有亲水基的改性剂的改性液并向基板的表面供给用于去除改性液的冲洗液的处理；以及在执行多次清洗处理后，使基板的表面干燥。
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公开(公告)号：CN109560017A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811119294.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够可靠地向基片的表面供给清洗液并且抑制清洗液飞散地除去处理液的基片处理方法等。在对旋转的基片(W)进行了液处理之后，当供给清洗液以除去处理液时，在排出位置移动步骤中，使清洗液喷嘴(421)和气体喷嘴(411)从基片的中央部侧向周缘部侧移动，上述清洗液喷嘴(421)用于向基片(W)的旋转方向的下游侧对基片(W)的表面倾斜地排出清洗液，上述气体喷嘴(411)用于向清洗液的着液位置(R)的靠基片(W)的中央部侧的相邻的位置排出气体。此时，使基片(W)的转速变化，以使得着液位置(R)在周缘部侧的第二区域移动的期间中的转速小于着液位置(R)在中央部侧的第一区域移动的期间中的最大转速。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104217979A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410232087.5
申请日：2014-05-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗方法。一边使基板旋转一边向基板的中心部依次喷射清洗液和气体，在使喷射清洗液和气体的喷嘴朝向基板的周缘侧移动之后，切换至设定在自第1清洗液喷嘴的移动轨迹偏离的位置上的第2清洗液喷嘴来喷射清洗液，一边喷射清洗液并喷射气体一边使两个喷嘴朝向基板的周缘侧移动，以使自第2清洗液喷嘴的喷射位置起到基板的中心部为止的距离与自气体喷嘴的喷射位置起到基板的中心部为止的距离之间的差逐渐变小的方式使各喷嘴移动。
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公开(公告)号：CN109560017B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201811119294.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够可靠地向基片的表面供给清洗液并且抑制清洗液飞散地除去处理液的基片处理方法等。在对旋转的基片(W)进行了液处理之后，当供给清洗液以除去处理液时，在排出位置移动步骤中，使清洗液喷嘴(421)和气体喷嘴(411)从基片的中央部侧向周缘部侧移动，上述清洗液喷嘴(421)用于向基片(W)的旋转方向的下游侧对基片(W)的表面倾斜地排出清洗液，上述气体喷嘴(411)用于向清洗液的着液位置(R)的靠基片(W)的中央部侧的相邻的位置排出气体。此时，使基片(W)的转速变化，以使得着液位置(R)在周缘部侧的第二区域移动的期间中的转速小于着液位置(R)在中央部侧的第一区域移动的期间中的最大转速。
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公开(公告)号：CN110088879B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201780078047.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/32
Abstract: 对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理方法包括如下工序：图案形成工序，对基板供给显影液而使基板上的抗蚀膜显影来形成抗蚀图案；涂布工序，对经显影的基板涂布水溶性聚合物的水溶液；以及冲洗工序，对涂布了该水溶性聚合物的水溶液的基板供给冲洗液来清洗基板。
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公开(公告)号：CN110088879A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078047.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/32
Abstract: 对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理方法包括如下工序：图案形成工序，对基板供给显影液而使基板上的抗蚀膜显影来形成抗蚀图案；涂布工序，对经显影的基板涂布水溶性聚合物的水溶液；以及冲洗工序，对涂布了该水溶性聚合物的水溶液的基板供给冲洗液来清洗基板。
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公开(公告)号：CN107731709A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710679783.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C5/0258 , B05C11/08 , B05C11/1002 , B08B3/08 , B08B3/10 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/0273 , H01L21/67051 , H01L21/67178 , B08B3/022 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种液处理装置和液处理方法。提供一种在向绕铅垂轴线旋转的晶圆供给清洗液而进行处理的液处理装置中抑制雾向晶圆的再次附着的技术。液处理装置设置有：引导构件(3)，其从水平地保持着的晶圆(W)的背面的周缘部朝向外侧下方形成有倾斜面(32)；包围构件(2)，其形成为包围晶圆(W)的圆筒状，其上缘部朝向内周侧向斜上方伸出，在其内表面侧的比水平地保持着的晶圆(W)的表面高度靠上方的位置在整周上形成有两根槽部(23)。若气流沿着包围构件(2)流动，则气流在槽部(23)中形成涡流，滞留在槽部(23)内，因此，能够捕捉雾，能够抑制雾向杯体(1)的外部流出。因而，能够抑制雾向晶圆(W)的附着。
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