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公开(公告)号：CN117678052A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050790.7
申请日：2022-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , B05C11/08
Abstract: 涂敷/显影装置包括：用于对基片的周缘部释放除去液的除去液喷嘴；流路，其为用于使除去液在除去液的供给源与除去液喷嘴之间流通的处理液供给路径；检查单元的拍摄部，其用于对基片的周缘部进行拍摄；设置在流路中的作为观测部的各种传感器，其用于对流路中的除去液的流通状态进行观测；和分析部，其用于基于检查单元的拍摄部的拍摄图像和各种传感器的观测结果，来确定与除去液向基片(W)的供给相关的异常原因。
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公开(公告)号：CN108153117B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201711247835.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供一种有效地抑制处理进行的程度由于基片上的位置不同而产生偏差的装置。涂敷、显影装置(2)包括旋转保持部(30)、显影液供给部(40)和控制器(100)。控制器执行：在晶片(W)的表面(Wa)上形成冲洗液的积液之后，使显影液供给部的喷嘴(41)的接液面与该冲洗液的积液接触，从喷嘴排出显影液形成稀释显影液的积液的控制；使晶片以第一转速旋转的控制，上述第一转速是使得与接液面的外周相比位于内侧的稀释显影液保留在接液面和表面之间，与接液面的外周相比位于外侧的稀释显影液向晶片的外周侧扩展的转速；和在晶片以比第一转速小的第二转速进行旋转的状态下，一边排出显影液，一边使喷嘴向晶片的外周侧移动的控制。
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公开(公告)号：CN106971941B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201610849869.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN118489148A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202280086984.2
申请日：2022-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/304
Abstract: 本发明的液处理方法进行：在将贮存处理液的贮存部与处理液供给部连接的流路中使所述处理液流通而将所述处理液从所述处理液供给部释放到基片，对该基片进行处理的步骤；滞留步骤，在所述流路中填充液体并使其滞留；流通步骤，使滞留的所述液体在所述流路中流通；信号获取步骤，在进行所述流通步骤的期间，利用光照射部向所述流路照射光，并且利用受光部接收来自该流路的光，获取从该受光部输出的与所述液体中的异物相应的检测信号；和应对步骤，基于所述检测信号，推算所述流路中的异常部位、提示对异常的应对动作、或者实施该应对动作。
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公开(公告)号：CN108693716B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810292782.9
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供一种对显影的显影方法、显影装置和存储介质，其进行以下步骤：在停止从在显影液喷嘴(31)的相对面(32)向下方开口的排出口(33)排出显影液的状态下，使显影液喷嘴(31)相对于基片(W)的表面上升，利用该显影液的表面张力，将排出口(33)下方的一部分积液提起的步骤；使显影液喷嘴(31)的上升停止，由提起了的该一部分积液形成上端与相对面接触(32)并且随着向该上端去逐渐变细的显影液柱的步骤；和对显影液柱施加剪切力来将该显影液柱的上端剪断，使显影液柱从相对面(32)分离的分离步骤。由此，能够防止显影液从与形成于该基片的显影液的积液接触的显影液喷嘴落下到基片上而发生异常。
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公开(公告)号：CN114144733A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052545.0
申请日：2020-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供显影装置和显影方法，在对表面形成有已曝光的抗蚀剂膜的基片供给显影液进行显影时，能够提高在基片的面内的各部形成的抗蚀剂图案的尺寸的均匀性。该装置包括：形成从杯状体的外侧去往该杯状体内的气流的气流形成部；对基片的表面供给显影液来进行显影的显影液供给部；对进行了显影的基片的表面供给清洗液的清洗液供给部；以及用于限制在该基片的表面形成的气流的气流限制部件，其独立于显影液供给部和清洗液供给部设置，位于第一位置而限定地覆盖被供给了显影液的基片的一部分，设置有移动机构，在清洗液被供给到基片时使气流限制部件位于与第一位置相不同的第二位置，或者第一位置为杯状体的外侧的位置，即使在对基片供给清洗液时气流限制部件也位于该第一位置。
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公开(公告)号：CN105404103B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201510566734.0
申请日：2015-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明的目的是在对曝光后的基板进行显影处理时，提高基板的面内的抗蚀剂图案的线宽的均匀性。进行显影处理，包括以下步骤：使用具有显影液的排出口和形成得比上述基板的表面小的接触部的显影液喷嘴，在上述基板的中央部使上述接触部与基板的表面相对的步骤；接着，从上述显影液喷嘴的排出口向基板的表面排出显影液，从上述接触部看时使显影液溢出到比该接触部的外缘靠外侧的位置而形成积液的步骤；和像这样维持显影液溢出的状态，一边从上述排出口向正在旋转的基板排出显影液，一边使上述显影液喷嘴从基板的中央部向周缘部移动而将上述积液扩展到基板的整个面的步骤。
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公开(公告)号：CN108153117A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711247835.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G03F7/3021 , G03F7/162 , G03F7/3064 , G03F7/30
Abstract: 本发明提供一种有效地抑制处理进行的程度由于基片上的位置不同而产生偏差的装置。涂敷、显影装置(2)包括旋转保持部(30)、显影液供给部(40)和控制器(100)。控制器执行：在晶片(W)的表面(Wa)上形成冲洗液的积液之后，使显影液供给部的喷嘴(41)的接液面与该冲洗液的积液接触，从喷嘴排出显影液形成稀释显影液的积液的控制；使晶片以第一转速旋转的控制，上述第一转速是使得与接液面的外周相比位于内侧的稀释显影液保留在接液面和表面之间，与接液面的外周相比位于外侧的稀释显影液向晶片的外周侧扩展的转速；和在晶片以比第一转速小的第二转速进行旋转的状态下，一边排出显影液，一边使喷嘴向晶片的外周侧移动的控制。
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公开(公告)号：CN106971941A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610849869.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
CPC classification number: G03F7/3021 , B05C5/02 , B05C11/08 , B05D1/005 , H01L21/6715 , H01L21/027 , H01L2221/67
Abstract: 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN112997274B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201980074177.7
申请日：2019-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供的基片处理的条件设定辅助方法包括：将数据集输入到机器学习装置的步骤，其中，数据集包括基片处理的处理条件和关于该基片处理的质量的实际数据，基片处理由基片处理装置执行并且包括对基片供给处理液的处理；和基于学习模型导出基片处理的推荐处理条件的步骤，其中，学习模型是由机器学习装置基于多组数据集通过机器学习而生成的模型，能够响应于处理条件的输入而输出关于基片处理的质量的预测数据。
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