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公开(公告)号：CN112585728B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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公开(公告)号：CN101770946B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910265524.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/3085
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够提高硅层相对于作为掩模层的氧化膜层的蚀刻选择比。将包括作为掩模层的SiO2层(62)和作为处理对象层的硅层(61)的晶片W搬入到处理模块(25)的腔室(42)内，利用由NF3气体、HBr气体、O2气体和SiCl4气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物(65)堆积在SiO2层(62)表面，以确保作为掩模层的层厚，并且对硅层(61)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN111162006A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911082523.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抑制掩模图案的偏差的处理方法和基板处理装置。所述处理方法具有：第一工序，在被蚀刻膜上使沉积物沉积于图案化的掩模层；以及第二工序，去除所述掩模层的一部分和所述沉积物的一部分中的至少任一方，在该处理方法中，将所述第一工序和所述第二工序重复一次以上，使所述掩模层的图案的侧面的锥角成为期望的角度。
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公开(公告)号：CN110517953A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910425734.7
申请日：2019-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，防止在蚀刻形状中产生偶奇差。所述基板处理方法包括以下工序：向在被蚀刻对象膜之上的光致抗蚀剂的图案的侧壁形成的含硅膜之间的凹部埋入有机膜；以及以选择比大致为1：1的条件对所述有机膜和所述含硅膜进行蚀刻或溅射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112585728A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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公开(公告)号：CN101770946A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910265524.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/3085
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够提高硅层相对于作为掩模层的氧化膜层的蚀刻选择比。将包括作为掩模层的SiO2层(62)和作为处理对象层的硅层(61)的晶片W搬入到处理模块(25)的腔室(42)内，利用由NF3气体、HBr气体、O2气体和SiCl4气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物(65)堆积在SiO2层(62)表面，以确保作为掩模层的层厚，并且对硅层(61)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN111162006B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201911082523.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抑制掩模图案的偏差的处理方法和基板处理装置。所述处理方法具有：第一工序，在被蚀刻膜上使沉积物沉积于图案化的掩模层；以及第二工序，去除所述掩模层的一部分和所述沉积物的一部分中的至少任一方，在该处理方法中，将所述第一工序和所述第二工序重复一次以上，使所述掩模层的图案的侧面的锥角成为期望的角度。
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公开(公告)号：CN110010466B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201910008656.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法应用于具有第一膜～第三膜的基板。第三膜设置在基底区域上，第二膜设置在第三膜上，第一膜设置在第二膜上。第二膜包含硅和氮。对第一膜～第三膜依次进行蚀刻。在对第一膜～第三膜进行的蚀刻中，使用含氟和氢的处理气体的等离子体。至少在对第二膜进行的蚀刻中，将基板的温度设定为20℃以下的温度。
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公开(公告)号：CN110010466A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910008656.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法应用于具有第一膜～第三膜的基板。第三膜设置在基底区域上，第二膜设置在第三膜上，第一膜设置在第二膜上。第二膜包含硅和氮。对第一膜～第三膜依次进行蚀刻。在对第一膜～第三膜进行的蚀刻中，使用含氟和氢的处理气体的等离子体。至少在对第二膜进行的蚀刻中，将基板的温度设定为20℃以下的温度。
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