公开(公告)号：CN117637468A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311071845.5

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤琢磨 ,  吉村正太 ,  野吕基贵 ,  王昕愷 ,  及川弘太

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，能够去除含金属层。在一个例示性的实施方式中，基板处理方法包括：工序(a)，提供基板，基板具备包含第一材料的第一区域和包含第二材料的第二区域，第一材料包含硅，第二材料与第一材料不同；工序(b)，利用从包含卤族元素和金属的处理气体生成的等离子体，在第一区域上形成含金属层，并且对第二区域进行蚀刻；以及工序(c)，利用碱将含金属层去除。

公开(公告)号：CN117577524A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311626120.8

申请日：2021-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤琢磨 ,  吉村正太 ,  森北信也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本公开涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。

公开(公告)号：CN114762091B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202180006822.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤琢磨 ,  吉村正太 ,  森北信也

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 公开的蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。

公开(公告)号：CN114762091A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202180006822.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤琢磨 ,  吉村正太 ,  森北信也

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 公开的蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。