公开(公告)号：CN115247260A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210418291.0

申请日：2022-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森北信也 ,  日高明 ,  木野周

IPC: C23C16/503 ,  C23C16/52 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本公开提供了基板处理方法、基板处理设备和基板处理系统。基板处理方法用于处理基板，该基板包括具有彼此不同的成分的第一区域和第二区域。该基板处理方法包括：(a)通过基板处理设备，在第一区域上优先形成第一沉积层；(b)在(a)之后，在第二区域上形成第二沉积层，该第二沉积层包含氟，并且该第二沉积层与第一沉积层不同；以及(c)在(b)之后，去除第二区域的至少一部分以及第二沉积层。在不满足停止条件的情况下，按顺序重复步骤(a)至(c)。

公开(公告)号：CN114388327A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111175798.X

申请日：2021-10-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼 ,  木野周 ,  高良穣二

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、控制方法及计算机可读取的存储介质，能够事先防止将允许范围外的电压施加于基板处理装置的特定配件。基板处理系统具有：基板处理装置，其具有用于进行基板的处理的处理容器和对所述处理容器内的特定配件施加直流电压的直流电源；控制部，其控制所述基板处理装置，其中，所述控制部执行的处理包括以下处理：获取在基于期望的工艺条件进行的基板的处理中测定出的所述直流电压的实测值和所述工艺条件；以及基于获取到的所述工艺条件和所述直流电压的实测值，来生成以所述工艺条件中的多个条件为说明变量来计算所述直流电压的估计值的回归分析式。

公开(公告)号：CN111834202A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010267814.7

申请日：2020-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  野吕基贵 ,  木野周

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。[课题]在不使掩模的开口部阻塞的情况下使掩模的基底膜收缩。[解决方案]提供一种基板处理方法，其包括如下工序：准备基板的工序，所述基板具有为含硅膜的第1膜、和形成于前述第1膜上、且具有第2开口部的第2膜；控制工序，将基板的温度控制为-30°以下；和，蚀刻工序，通过前述第2开口部蚀刻前述第1膜，在蚀刻前述第1膜的工序中，使用包含氟碳气体的第1处理气体的等离子体，按照随着蚀刻的推进，形成于前述第1膜的第1开口部的截面的形状变小的方式，使前述第1膜形成为锥形。