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公开(公告)号：CN107597802A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710893673.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 东北大学
IPC: B09B3/00
Abstract: 本发明公开了一种调压-水热旋流工艺强化铝灰脱氮的方法，属环保材料领域。本发明分为灰/铝分离，喂料，脱氮，沉降过滤洗涤，干燥五个步骤。在步骤3中调节反应器内的水温和气体压力，施加旋流，控制氨气逸出速率，控制铝灰脱氮反应速率，提高铝灰脱氮效率；在步骤3中加入表面活性剂和促进剂，缩短脱氮时间，提升脱氮效果，处理后的粉体含氮量低于0.05％；步骤4中沉降过程中加入絮凝剂，使步骤3中铝灰中产生微细颗完全沉降；步骤5对脱氮铝灰粉体分级。发明工艺实现了铝灰的脱氮处理，工艺简单，生产成本低，实现了水和热量的充分循环利用，节能环保，避免了铝灰造成的环境污染及资源浪费。
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公开(公告)号：CN101550030B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200910011491.9
申请日：2009-05-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铝溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的Al2O3陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。
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公开(公告)号：CN101215164B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200810010121.9
申请日：2008-01-16
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼复合材料的制备方法，特征是步骤如下：按质量百分数计取金属氧化物粉末5～50％，余量为碳化硼粉末，混合配料，在100～150MPa下模压成预制坯；然后将预制坯置于真空烧结炉中，抽真空至20～100Pa，以5～8℃/min速度升温至1850～2060℃，保温10～60分钟，得到碳化硼基多孔预烧体；最后在真空条件下熔渗铝，熔渗工艺为900～1100℃，保温0.5～2h，真空度为5～100Pa。本发明优点和产生积极效果是：在单一碳化硼材料的基础上提高断裂韧性1.78～2.75倍；生产成本低；制备方法简单，有利于加工成各种形状复杂的产品，易于在碳化硼陶瓷材料制造领域推广应用。
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公开(公告)号：CN101550030A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910011491.9
申请日：2009-05-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶－凝胶法制备含铝溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D－SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D－SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的Al2O3陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D－SiC/钢的界面反应进行控制。
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公开(公告)号：CN101555140B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910011678.9
申请日：2009-05-22
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/58
Abstract: 一种二硼化钛致密复合材料的无压烧结制备方法，属于材料技术领域，将SiC粉、TiO2粉、B4C粉、C粉、TiB2粉和树脂粘结剂混合，将混合后的物料球磨至物料的平均粒径在0.5～1.0μm，制备成颗粒物料；将颗粒物料压制成坯料，获得的坯料在真空条件下升温至1200～1400℃，保温0.5～2h；然后在惰性气氛条件下以3～10℃/min的速度升温至1900～2200℃，保温烧结。本发明的制备方法简单，获得材料性能优越，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107597802B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201710893673.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 东北大学
IPC: B09B3/00
Abstract: 本发明公开了一种调压‑水热旋流工艺强化铝灰脱氮的方法，属环保材料领域。本发明分为灰/铝分离，喂料，脱氮，沉降过滤洗涤，干燥五个步骤。在步骤3中调节反应器内的水温和气体压力，施加旋流，控制氨气逸出速率，控制铝灰脱氮反应速率，提高铝灰脱氮效率；在步骤3中加入表面活性剂和促进剂，缩短脱氮时间，提升脱氮效果，处理后的粉体含氮量低于0.05％；步骤4中沉降过程中加入絮凝剂，使步骤3中铝灰中产生微细颗完全沉降；步骤5对脱氮铝灰粉体分级。发明工艺实现了铝灰的脱氮处理，工艺简单，生产成本低，实现了水和热量的充分循环利用，节能环保，避免了铝灰造成的环境污染及资源浪费。
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公开(公告)号：CN101555166A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910011490.4
申请日：2009-05-12
Applicant: 东北大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶－凝胶法制备含铁溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D－SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D－SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的氧化铁陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D－SiC/钢的界面反应进行控制。
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公开(公告)号：CN101555140A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910011678.9
申请日：2009-05-22
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/58
Abstract: 一种二硼化钛致密复合材料的无压烧结制备方法，属于材料技术领域，将SiC粉、TiO2粉、B4C粉、C粉、TiB2粉和树脂粘结剂混合，将混合后的物料球磨至物料的平均粒径在0.5～1.0μm，制备成颗粒物料；将颗粒物料压制成坯料，获得的坯料在真空条件下升温至1200～1400℃，保温0.5～2h；然后在惰性气氛条件下以3～10℃/min的速度升温至1900～2200℃，保温烧结。本发明的制备方法简单，获得材料性能优越，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101215164A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810010121.9
申请日：2008-01-16
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼复合材料的制备方法，特征是步骤如下：按质量百分数计取金属氧化物粉末5～50％，余量为碳化硼粉末，混合配料，在100～150MPa下模压成预制坯；然后将预制坯置于真空烧结炉中，抽真空至20～100Pa，以5～8℃/min速度升温至1850～2060℃，保温10～60分钟，得到碳化硼基多孔预烧体；最后在真空条件下熔渗铝，熔渗工艺为900～1100℃，保温0.5～2h，真空度为5～100Pa。本发明优点和产生积极效果是：在单一碳化硼材料的基础上提高断裂韧性1.78～2.75倍；生产成本低；制备方法简单，有利于加工成各种形状复杂的产品，易于在碳化硼陶瓷材料制造领域推广应用。
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公开(公告)号：CN101555166B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910011490.4
申请日：2009-05-12
Applicant: 东北大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铁溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的氧化铁陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。
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