公开(公告)号：CN101555166B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910011490.4

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  武艳君 ,  闫海乐 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铁溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的氧化铁陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。

公开(公告)号：CN100486734C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200510046691.X

申请日：2005-06-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  房明 ,  王瑞琴 ,  巩甘雷 ,  左良 ,  张宁

IPC: B22D19/02 ,  C04B41/88

Abstract: 一种三维网络陶瓷-金属摩擦复合材料的真空-气压铸造方法，工艺步骤为：三维网络陶瓷骨架的预处理、模具处理和金属的熔铸。三维网络陶瓷骨架采用SiC、B4C、Si3N4、Al2O3、ZrO2或莫来石陶瓷材料，金属采用铝或铝合金或铜合金或钛合金或钢铁材料。三维网络陶瓷骨架的预处理可以采用表面预氧化处理、无机物改性、电镀包覆或粉末冶金方法扩散烧结一层高熔点金属。金属的熔铸在真空-气压铸造炉中进行。采用本发明方法可以制备不同陶瓷含量、不同三维网络孔径的网络陶瓷-金属复合材料，不仅能实现低熔点金属与三维网络陶瓷复合，对于熔点较高的铜合金或钢铁材料，也能制备具有连续结合界面的三维网络陶瓷-金属摩擦复合材料。

公开(公告)号：CN101555166A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910011490.4

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  武艳君 ,  闫海乐 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶－凝胶法制备含铁溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D－SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D－SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的氧化铁陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D－SiC/钢的界面反应进行控制。

公开(公告)号：CN1727096A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510046691.X

申请日：2005-06-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  房明 ,  王瑞琴 ,  巩甘雷 ,  左良 ,  张宁

IPC: B22D19/02 ,  C04B41/88

Abstract: 一种三维网络陶瓷－金属摩擦复合材料的真空－气压铸造方法，工艺步骤为：三维网络陶瓷骨架的预处理、模具处理和金属的熔铸。三维网络陶瓷骨架采用SiC、B4C、Si3N4、Al2O3、ZrO2或莫来石陶瓷材料，金属采用铝或铝合金或铜合金或钛合金或钢铁材料。三维网络陶瓷骨架的预处理可以采用表面预氧化处理、无机物改性、电镀包覆或粉末冶金方法扩散烧结一层高熔点金属。金属的熔铸在真空－气压铸造炉中进行。采用本发明方法可以制备不同陶瓷含量、不同三维网络孔径的网络陶瓷－金属复合材料，不仅能实现低熔点金属与三维网络陶瓷复合，对于熔点较高的铜合金或钢铁材料，也能制备具有连续结合界面的三维网络陶瓷－金属摩擦复合材料。

公开(公告)号：CN101550030B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200910011491.9

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  闫海乐 ,  武艳君 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87 ,  C04B35/10

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铝溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的Al2O3陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。

公开(公告)号：CN101550030A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910011491.9

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  闫海乐 ,  武艳君 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87 ,  C04B35/10

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶－凝胶法制备含铝溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D－SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D－SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的Al2O3陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D－SiC/钢的界面反应进行控制。