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公开(公告)号：CN118500490A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410559789.8
申请日：2024-05-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了新型的基于氧化硅片制备的热式流量传感器及制备方法，该传感器包括硅衬底、二氧化硅层、背面空腔、隔热口、铬黏附层、加热电阻、测温电阻、环境测温电阻、氮化硅保护层；其中加热电阻位于中间偏上位置，四个测温电阻对称的分布在加热电阻两侧；加热电阻和测温电阻中间隔热口，隔热口位于由背面空腔形成的悬浮桥上，包括三角隔热口和矩形隔热口；环境测温电阻位于空腔以外的位置；在二氧化硅层与加热电阻、测温电阻、环境测温电阻之间分别设有铬黏附层；在加热电阻、测温电阻、环境测温电阻上分别设有压焊块。本发明利用神经网络优化了悬浮桥，提高了热式流量传感器的机械强度，增加了上下游测温电阻的温差输出。
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公开(公告)号：CN118464137A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410560156.9
申请日：2024-05-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了新型的基于氧化硅片制备的二维流量传感器及制备方法，该传感器包括硅衬底、二氧化硅层、背面空腔、刻蚀孔、黏附层、环形加热电阻、测温电阻、环境测温电阻、氮化硅保护层。其中硅衬底和二氧化硅层是由氧化硅片工艺生成；环形加热电阻的中心部分由刻蚀孔，位于芯片中心位置，四个测温电阻对称的分布在环形加热电阻四周，可分为X轴测温电阻和Y轴测温电阻；环形加热电阻和测温电阻中间刻蚀孔；环境测温电阻位于背面空腔以外的位置。本发明降低了热量向衬底的传输，刻蚀孔有效降低了热量在衬底的横向传输，提高了热量的利用率，提高了传感器输出的灵敏度和二维流量传感器悬浮薄膜的机械强度。
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公开(公告)号：CN118010117A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410182182.2
申请日：2024-02-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于预埋腔绝缘体上硅制备的MEMS热式流量传感器，该传感器包括第一硅衬底、第二硅衬底、隔热空腔、二氧化硅绝缘层、加热电阻、环境测温电阻、铬黏附层、氮化硅保护层。其中隔热空腔由预埋腔体绝缘体上硅工艺形成，位于第一硅衬底和第二硅衬底之间；四个加热电阻，其对称分布在传感器正面，在边缘处有环境测温电阻。当无风时，四个加热电阻形成的温度场对称分布，惠斯通电桥输出为零；当有风时，四个加热电阻形成的温度场不再对称，惠斯通电桥有输出，其输出和风速有关，风速越大，输出越大。本发明基于预埋腔体绝缘体上硅晶圆键合形成空腔，阻断了加热电阻向硅衬底的温度传递，提高了热量的利用率，同时降低的加热功率。
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