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公开(公告)号:CN111312315A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201910589709.2
申请日:2019-07-02
Applicant: 东芝存储器株式会社
Inventor: 船附里英子 , 佐佐木贵彦 , 黑沢智纪
IPC: G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/04
Abstract: 实施方式提供一种能高速执行写入动作的半导体存储装置及存储系统。实施方式的半导体存储装置具有多个记忆胞、将第1数据转换为与所述多个记忆胞的阈值的排列顺序相关的第2数据的第1电路、及根据所述第2数据对所述多个记忆胞进行写入的第2电路。
公开(公告)号:CN107154272A
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201610800782.6
申请日:2016-09-02
Inventor: 佐佐木贵彦
IPC: G11C13/00 , G11C7/06
Abstract: 一个实施方式的电流检测电路,具有:感测节点,其流过与流过第1布线的第1电流对应的第2电流;电荷蓄积元件,其使一端与感测节点连接并蓄积电荷;电位检测部,其检测感测节点的电位;放电电路,其根据电位检测部的检测结果,使所述感测节点放电;以及计数器,其对放电电路的放电工作的次数进行计数。
公开(公告)号:CN107154272B
公开(公告)日:2020-07-03