-
公开(公告)号：CN111725222A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910741891.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 东芝存储器株式会社
Inventor： 儿玉武则
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157
Abstract: 实施方式提供一种高品质的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：N型的第1阱区域；P型的源极扩散层及漏极扩散层，设置在所述第1阱区域的上表面；第1栅极绝缘层，设置在所述P型的源极扩散层及P型的漏极扩散层间的所述第1阱区域上；P型的第1半导体层，设置在所述第1栅极绝缘层之上；第2半导体层，介隔第1绝缘层设置在所述第1半导体层之上；P型的第3半导体层，介隔第2绝缘层设置在所述第2半导体层之上，且包含硼；以及第1导电层，介隔第3绝缘层设置在所述第3半导体层之上。
Search Results
1
records
(took 0.029 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
