公开(公告)号：CN110311035A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201811047858.8

申请日：2018-09-07

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 李永珉 ,  渡边大辅 ,  李哉衡 ,  永濑俊彦 ,  泽田和也 ,  及川忠昭 ,  吉野健一 ,  矶田大河

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供磁性装置及其制造方法。一实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包含第1铁磁性体、导电体以及氧化物。上述氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述导电体之间。上述氧化物包含稀土类元素的第1氧化物、和共价半径比上述稀土类元素小的元素的第2氧化物。

公开(公告)号：CN108630805A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710845287.1

申请日：2017-09-19

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 及川忠昭 ,  永濑俊彦 ,  李永珉 ,  渡边大辅 ,  泽田和也 ,  吉野健一 ,  大鸟博之 ,  金亮坤 ,  郑求烈 ,  林钟久 ,  李哉衡 ,  徐秀万 ,  郑星雄 ,  李泰荣

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。

公开(公告)号：CN111725389A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910732600.X

申请日：2019-08-09

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 泽田和也 ,  李永珉 ,  及川忠昭 ,  吉野健一 ,  北川英二 ,  矶田大河

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/28 ,  H01F10/32

Abstract: 实施方式提供一种能够提高器件的特性的磁性器件。实施方式的磁性器件包括：设置于基板(80)的上方的第1磁性体(12A)；基板(80)与第1磁性体(12A)之间的第2磁性体(11A)；第1磁性体(12A)与第2磁性体(11A)之间的非磁性体(13A)；设置于基板(80)与第2磁性体(11A)之间并包括非晶层的第1层(199A)；以及设置于第1层(199A)与第2磁性体(11A)之间并包括结晶层的第2层(190A)。

公开(公告)号：CN109509832A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810140237.8

申请日：2018-02-11

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 及川忠昭 ,  李永珉 ,  泽田和也 ,  吉野健一 ,  永濑俊彦 ,  渡边大辅

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 本公开提供磁阻元件和磁存储器。实施方式的磁阻元件具备第1磁性层至第3磁性层和第1非磁性层及第2非磁性层。第1磁性层具有可变的磁化方向。第2磁性层具有不变的磁化方向。第3磁性层将第2磁性层的磁化方向固定、并且与第2磁性层进行反铁磁性耦合。第1非磁性层设置于第1磁性层与第2磁性层之间。第2非磁性层设置于第2磁性层与第3磁性层之间、并且含有钌即Ru和金属元素。金属元素选自锇即Os、铑即Rh、钯即Pd、铱即Ir、铂即Pt、铬即Cr、钨即W、钽即Ta、铌即Nb以及钼即Mo之中。

公开(公告)号：CN110896127A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910056355.5

申请日：2019-01-22

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 北川英二 ,  李永珉 ,  及川忠昭 ,  吉野健一 ,  泽田和也 ,  矶田大河

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开提供一种存储装置。实施方式的存储装置包括电阻变化元件，所述电阻变化元件包含层叠体，该层叠体包含第一铁磁性体、第二铁磁性体、以及设置于所述第一铁磁性体与所述第二铁磁性体之间的包含硼添加稀土类氧化物的第一非磁性体。

公开(公告)号：CN110890459A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910204594.0

申请日：2019-03-18

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 李永珉 ,  李泰荣 ,  泽田和也 ,  北川英二 ,  矶田大河 ,  及川忠昭 ,  吉野健一

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供磁装置，一实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有铁磁性的第1结构体；具有铁磁性的第2结构体；及设置于所述第1结构体与所述第2结构体之间的第1非磁性体。所述第1结构体及所述第2结构体经由所述第1非磁性体而反铁磁性地耦合。所述第1结构体包括第1铁磁性氮化物。

公开(公告)号：CN111725388A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910728218.1

申请日：2019-08-07

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 渡邉大辅 ,  永濑俊彦 ,  上田公二 ,  李永珉

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 实施方式提供一种抑制寄生电阻的增加并且提高垂直磁各向异性的磁性装置。实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。所述磁阻效应元件包含：第1非磁性体；第2非磁性体；第1强磁性体，位于所述第1非磁性体及所述第2非磁性体之间；第3非磁性体，位于相对于所述第2非磁性体来说与所述第1强磁性体相反的一侧，且含有稀土类氧化物；以及第4非磁性体，位于所述第2非磁性体与所述第3非磁性体之间且含有金属。

公开(公告)号：CN111697126A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910686879.2

申请日：2019-07-29

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 及川忠昭 ,  李永珉 ,  泽田和也 ,  吉野健一 ,  北川英二 ,  矶田大河

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

Abstract: 实施方式提供一种能够使性能提高的磁阻元件以及磁存储装置。实施方式的磁阻元件包括：第1磁性层(14)，其具有不变的磁化方向；非磁性层(15)，其设在第1磁性层(14)上；第2磁性层(16)，其设在非磁性层(15)上，具有可变的磁化方向，包含稀土类元素；第3磁性层(17)，其设在第2磁性层(16)上，由钴构成；以及氧化物层(18)，其设在第3磁性层(17)上。

公开(公告)号：CN106463611B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201480077068.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 渡边大辅 ,  金亮坤 ,  长岭真 ,  李永珉 ,  上田公二 ,  永濑俊彦 ,  泽田和也 ,  金国天 ,  李宝美 ,  崔源峻

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

Abstract: 根据一个实施例，提供了磁阻元件，其包括第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层，其中第一磁层和第二磁层之一包括Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的标准电极电势的材料。

公开(公告)号：CN109494300A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810148600.0

申请日：2018-02-13

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 李永珉 ,  永濑俊彦 ,  渡边大辅 ,  泽田和也 ,  及川忠昭 ,  吉野健一

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开提供一种磁装置及其制造方法。实施方式提供一种既能够得到高的垂直磁各向异性和磁阻效应又能够得到高的保持特性的磁装置及其制造方法。实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包括第1铁磁性体、第2铁磁性体以及第1稀土类磁性氧化物。上述第1稀土类磁性氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体之间，将上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体进行磁耦合。