公开(公告)号：CN110867450A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910115197.6

申请日：2019-02-14

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 古川哲也 ,  筱智彰 ,  野口充宏 ,  渡边伸一 ,  西田征男 ,  田中启安

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供半导体存储装置。半导体存储装置具备：半导体基板，在表面设置半导体部及绝缘部；存储单元阵列，设置在半导体基板的第1区域；第1晶体管，设置在半导体基板的第2区域；第2晶体管，设置在半导体基板的第3区域；绝缘性的积层膜，覆盖半导体基板的表面、第1、2晶体管。第1、2晶体管具有：第1半导体层；栅极电极；栅极绝缘膜。第2晶体管的栅极电极中的硼的浓度大于第1晶体管的栅极电极中的硼的浓度。绝缘性的积层膜具备：第1绝缘膜，与半导体基板的表面相接；第2绝缘膜，与第1绝缘膜相接，氢的扩散系数比第1绝缘膜小。第2绝缘膜具备与半导体基板的半导体部相接的第1部分，第1部分沿着第3区域的外缘延伸且包围第3区域。