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公开(公告)号：CN110739297A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910154466.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498
Abstract: 实施方式提供一种能够在谋求大容量化的同时谋求修复性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备壳体、第1刚性基板、第2刚性基板、及连接基板。所述第1刚性基板收容于所述壳体，安装有控制器。所述第2刚性基板收容于所述壳体并与所述第1刚性基板至少局部相向，安装有半导体存储部件。所述连接基板具有固定于所述第1刚性基板的表面的第1端部和固定于所述第2刚性基板的表面的第2端部，且至少一部分具有挠性而以弯曲的姿势配置于所述壳体内。
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