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公开(公告)号：CN103814412B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280045409.4
申请日：2012-12-06
Applicant: 东芝电子管器件株式会社
CPC classification number: G01T1/20 , C23C14/0694 , C23C14/225 , C23C14/24 , C23C14/505 , G01T1/202
Abstract: 本发明的放射线检测面板的制造方法在蒸发源的正上方侧将光电转换基板配置成处于光电转换基板(21)的蒸镀面从蒸发源露出并相对于垂直轴倾斜的状态。通过蒸发源，使闪烁材料蒸发并将其向正上方辐射，使闪烁材料蒸镀于上述蒸镀面上，形成荧光体膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105849591A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480062676.1
申请日：2014-08-15
Applicant: 东芝电子管器件株式会社
CPC classification number: G01T1/2023 , C09K11/628 , G01T1/2018 , G01T1/202 , G21K4/00 , G21K2004/06
Abstract: 根据实施例，辐射探测器包含光电转换衬底和闪烁体层。该光电转换衬底将光转换为电信号。该闪烁体层接触该光电转换衬底并且将从外部入射的辐射转换为光。该闪烁体层是含有Tl作为活化剂的CsI的荧光剂。该CsI是卤化物。该活化剂在该荧光剂内的浓度是1.6质量％±0.4质量％。该活化剂在该荧光剂内的浓度在该闪烁体层的面内方向上具有中央部分>周边部分的关系。该中央部分是该闪烁体层的形成区域的中央区域。该周边部分是该闪烁体层的该形成区域的外周区域。
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公开(公告)号：CN105378507A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480040504.4
申请日：2014-05-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
CPC classification number: G01T1/2023 , C09K11/628 , C23C14/0694 , C23C14/34 , C30B23/02 , C30B23/08 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/06 , C30B29/10 , C30B29/12 , C30B29/605 , G01T1/2018 , G01T1/202 , G21K2004/12
Abstract: 根据实施例，一种辐射检测器包括：光电转换基板，将光转换为电信号；以及闪烁体层，与该光电转换基板接触并将外部入射的辐射转换为光。该闪烁体层可由在作为卤化物的CsI中含有Tl作为激活剂的磷光体制成。该磷光体中的激活剂的浓度是1.6mass％±0.4mass％，且在平面内方向和膜厚度方向上的激活剂的浓度分布为±15％内。
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公开(公告)号：CN103814412A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201280045409.4
申请日：2012-12-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
CPC classification number: G01T1/20 , C23C14/0694 , C23C14/225 , C23C14/24 , C23C14/505 , G01T1/202
Abstract: 本发明的放射线检测面板的制造方法在蒸发源的正上方侧将光电转换基板配置成处于光电转换基板(21)的蒸镀面从蒸发源露出并相对于垂直轴倾斜的状态。通过蒸发源，使闪烁材料蒸发并将其向正上方辐射，使闪烁材料蒸镀于上述蒸镀面上，形成荧光体膜。
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公开(公告)号：CN105849591B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201480062676.1
申请日：2014-08-15
Applicant: 东芝电子管器件株式会社
CPC classification number: G01T1/2023 , C09K11/628 , G01T1/2018 , G01T1/202 , G21K4/00 , G21K2004/06
Abstract: 根据实施例，辐射探测器包含光电转换衬底和闪烁体层。该光电转换衬底将光转换为电信号。该闪烁体层接触该光电转换衬底并且将从外部入射的辐射转换为光。该闪烁体层是含有Tl作为活化剂的CsI的荧光剂。该CsI是卤化物。该活化剂在该荧光剂内的浓度是1.6质量％±0.4质量％。该活化剂在该荧光剂内的浓度在该闪烁体层的面内方向上具有中央部分>周边部分的关系。该中央部分是该闪烁体层的形成区域的中央区域。该周边部分是该闪烁体层的该形成区域的外周区域。
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公开(公告)号：CN1954442A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015270.9
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
IPC: H01L31/115 , G01T1/24 , H01L27/14 , H04N5/32
CPC classification number: H04N5/32 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , H01L27/14692 , H01L31/02725 , H01L31/085
Abstract: 本发明提供能够提高光导电层的检测灵敏度的X射线检测器。使光导电层中含有重金属卤素化合物及卤素。能够形成抑制因X射线照射而引起的暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性的变化而稳定的光导电层。若在光导电层中含有剩余的卤素，则能够抑制在X射线照射时容易产生的重金属卤素化合物晶体结构中的卤素解离、以及伴随该解离而产生的晶体缺陷。卤素的解离，将在该光导电层中产生缺陷能级，成为电荷的深阱，对暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性产生影响。若光导电层中的剩余卤素过多，则卤素析出在晶界。妨碍光导电层的微晶间的导电性，大大妨碍X导电层的灵敏度特性、以及余像特性，余像将延长。
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