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公开(公告)号：JPWO2017022647A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2017532561
申请日：2016-07-29
Applicant: アダマンド並木精密宝石株式会社
IPC: C30B29/04
CPC classification number: C30B29/04
Abstract: 【課題】ダイヤモンドからなる基板において、反り量の抑制に加えて、基板表面の全面に亘る結晶軸の角度ばらつきも抑制した、自立したダイヤモンド基板及びそのダイヤモンド基板を作製する方法を提供する。【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板の厚み方向における最高部と最低部との差分を、0μm超485μm以下とすると共に、ダイヤモンド基板の表面の全面に亘る結晶軸の角度のばらつきを、0°超3.00°以下とする。【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6142145B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2015539292
申请日：2014-09-25
Applicant: 並木精密宝石株式会社
IPC: C30B29/04
CPC classification number: C30B25/18 , C23C16/01 , C23C16/274 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/02
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公开(公告)号：JP2017214284A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2017163820
申请日：2017-08-29
Applicant: 並木精密宝石株式会社
IPC: C30B25/02 , C23C16/27 , H01L21/205 , C30B29/04
CPC classification number: C30B25/183 , C23C16/274 , C23C16/279 , C30B23/025 , C30B25/105 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B29/605 , H01L21/02527 , H01L21/02609 , H01L21/7806 , H01L29/045 , H01L29/1602 , H01L29/34
Abstract: 【課題】結晶成長時に応力を解放することで、ダイヤモンド基板へのクラック発生を防止し、ダイヤモンド基板内部の結晶面の曲率を、0km -1 を超えて1500km -1 以下に低減可能である、ダイヤモンド基板及び製造方法を提供する。 【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板の内部の結晶面の曲率を0km -1 を超えて1500km -1 以下とする。 【選択図】図11
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公开(公告)号：JP2017109877A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015243009
申请日：2015-12-14
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】ダイヤモンド単結晶から成り高熱伝導率を有し、厚み方向のダイヤモンド基板の最高部と最低部との差分を、所定の範囲内(0μm超485μm以下)に抑制可能になると共に、大面積化にも対応可能なダイヤモンド基板の提供。 【解決手段】ダイヤモンド単結晶から形成し、熱伝導率5W/cm・K以上で、ダイヤモンド基板の厚み方向の最高部と最低部との差分(反り量ΔH)を0μm超485μm以下に設定したダイヤモンド基板1。更に好ましくは、熱伝導率が5〜20W/cm、差分が0〜130μm、更に好ましくは0〜65μmであり、うねりを有し、ダイヤモンド基板1の平面方向の形状が、方形状、円形状、又はオリフラ面が設けられた円形状であり、方形状の場合は対角線の長さは10mm以上、円形状状の場合は直径が0.4インチ以上であるダイヤモンド基板。好ましくは、対角線の長さが50.8〜203.2mmか直径が2〜8インチである基板。 【選択図】図2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6424345B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2014560791
申请日：2014-02-06
Applicant: アダマンド並木精密宝石株式会社 , 株式会社ディスコ
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/406 , H01L33/007 , H01L33/32
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公开(公告)号：JP2017071552A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2017003129
申请日：2017-01-12
Applicant: 並木精密宝石株式会社
IPC: C30B25/18 , H01L21/205 , H01L21/86 , H01L21/203 , C30B29/04
CPC classification number: C30B25/18 , C23C16/01 , C23C16/274 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/02
Abstract: 【課題】直径2インチ以上の大型のダイヤモンド基板を提供する。また、直径2インチ以上という大型のダイヤモンド基板の製造を可能にする、ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。 【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板をダイヤモンド単結晶から形成し、ダイヤモンド基板の平面方向の形状を円形状又はオリフラ面が設けられた円形状とし、直径を2インチ以上とする。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2020059648A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2019189465
申请日：2019-10-16
Applicant: アダマンド並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】結合境界が無く使用可能エリアの制限が無い、対角線の長さが50.8mm以上か、直径が2インチ以上のダイヤモンド基板とその製造方法を提供する。 【解決手段】ダイヤモンド単結晶から成る単数又は複数の下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板をダイヤモンド単結晶から形成し、ダイヤモンド基板の平面方向の形状を、方形状、円形状、又はオリフラ面が設けられた円形状とし、方形状の場合は対角線の長さを50.8mm以上とし、円形状の場合は直径を2インチ以上とする。 【選択図】図14
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公开(公告)号：JPWO2018012529A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2017025393
申请日：2017-07-12
Applicant: アダマンド並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】表面に加工変質層を生じることなく、高精度かつ滑らかな表面粗さを有する単結晶ダイヤモンド基板を提供する。 【解決手段】ヘテロエピタキシャル成長によって気相成長したダイヤモンド層の裏面をホモエピタキシャル成長用の育成表面として一定の表面粗さ範囲に形成することで、当該気相成長終了後、ダイヤ単結晶基板の裏面に再度気相成長による単結晶ダイヤモンド層を形成し、加工変質層を生じることなく、高精度かつ滑らかな表面粗さを有する単結晶ダイヤモンド基板を得ることができる。 【選択図】図1
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