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公开(公告)号：CN117191182A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311469449.8
申请日：2023-11-07
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及悬臂梁式一维MEMS压电矢量水听器，其包括衬底和悬臂梁结构，衬底为矩形框体，衬底的下表面固定连接有支撑层，悬臂梁结构连接至衬底上相对的两根侧壁之间，悬臂梁结构包括中心质量块和两根结构相同的条形悬臂，两根条形悬臂对称布置于中心质量块的左右两端，且条形悬臂的其中一端设为弧腰梯形连接部，弧腰梯形连接部的较短底用于固定连接中心质量块；条形悬臂从上至下包括依次叠摞且相连的第二电极层、压电材料层和第一电极层。该悬臂梁式一维MEMS压电矢量水听器只需要探测某一方向的声源信号即可，在探测的同时会抑制掉其他方向的干扰信息，提高信号的信噪比，能准确提取出需要的信号。
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公开(公告)号：CN117213616B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311481470.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种应力释放结构的压电水听器单元，其包括SOI晶圆基底以及下电极薄膜、压电层和上电极薄膜，SOI晶圆基底包括衬底层、埋氧层和器件层，衬底层刻蚀有圆柱形背腔，下电极薄膜、压电层和上电极薄膜均刻蚀为圆形结构，圆形结构的侧壁上沿上下方向刻蚀有四个扇环体凹槽，扇环体凹槽从压电层上表面向下刻蚀至埋氧层上表面，四个扇环体凹槽沿圆形结构的周向均布。设置扇环体凹槽可将夹紧型边界条件变为简单支撑型边界条件，压电层的振型状态从类似高斯型变为类似活塞型，三明治结构的薄膜振动幅值增大，应力释放结构可释放薄膜结构层上的应力，提高水听器的综合性能。
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公开(公告)号：CN117191182B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311469449.8
申请日：2023-11-07
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及悬臂梁式一维MEMS压电矢量水听器，其包括衬底和悬臂梁结构，衬底为矩形框体，衬底的下表面固定连接有支撑层，悬臂梁结构连接至衬底上相对的两根侧壁之间，悬臂梁结构包括中心质量块和两根结构相同的条形悬臂，两根条形悬臂对称布置于中心质量块的左右两端，且条形悬臂的其中一端设为弧腰梯形连接部，弧腰梯形连接部的较短底用于固定连接中心质量块；条形悬臂从上至下包括依次叠摞且相连的第二电极层、压电材料层和第一电极层。该悬臂梁式一维MEMS压电矢量水听器只需要探测某一方向的声源信号即可，在探测的同时会抑制掉其他方向的干扰信息，提高信号的信噪比，能准确提取出需要的信号。
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公开(公告)号：CN117213616A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311481470.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种应力释放结构的压电水听器单元，其包括SOI晶圆基底以及下电极薄膜、压电层和上电极薄膜，SOI晶圆基底包括衬底层、埋氧层和器件层，衬底层刻蚀有圆柱形背腔，下电极薄膜、压电层和上电极薄膜均刻蚀为圆形结构，圆形结构的侧壁上沿上下方向刻蚀有四个扇环体凹槽，扇环体凹槽从压电层上表面向下刻蚀至埋氧层上表面，四个扇环体凹槽沿圆形结构的周向均布。设置扇环体凹槽可将夹紧型边界条件变为简单支撑型边界条件，压电层的振型状态从类似高斯型变为类似活塞型，三明治结构的薄膜振动幅值增大，应力释放结构可释放薄膜结构层上的应力，提高水听器的综合性能。
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