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公开(公告)号：CN119694799A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411840874.8
申请日：2024-12-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于电化学储能技术领域，公开了一种宽电势窗口、高能量密度的柔性超级电容器及其制备方法，包括：基底层，和电极层，所述电极层设置在基底层上，包括正电极和负电极，所述电极层上方设置有电解质层，所述电解质层覆盖电极层材料的叉指状区域；所述电极层材料为金属原子中心与导电有机配体合成的金属‑有机框架材料，所述电解质层材料为凝胶质地的离子液体。本发明可以大大提高了单个器件的供能续航时间，同时在维持相同能量的前提下可缩减体积与质量，降低维护成本，推动储能技术的快速发展。
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公开(公告)号：CN118299445A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410729573.1
申请日：2024-06-06
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/0352 , H10N10/852 , H10N10/01 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明涉及光电器件技术领域，公开了一种宽光谱响应的自供电光电探测器件及其制备方法。器件包括：P型硅衬底，P型硅衬底底部设置有底电极，顶部设置有SiO2介质层；SiO2介质层上表面中心设置有延伸至P型硅衬底的凹槽，P型硅衬底上与凹槽对应的位置设置有刻蚀形成的硅微纳结构，所述硅微纳结构包括多个二维排列的硅纳米线；SiO2介质层和硅微纳结构表面设置有Ag2Se薄膜层，SiO2介质层表面设置有顶电极。本发明将硅纳米线的光电效应与Ag2Se薄膜层的光热电效应耦合，通过协同效应提高光电探测器的整体性能，使其具有更高的响应度和灵敏度和更宽的光谱响应范围并实现自供电。
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公开(公告)号：CN117928762A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410117189.6
申请日：2024-01-26
Applicant: 中北大学
IPC: G01K7/18
Abstract: 本发明涉及温度传感器领域，具体涉及一种无黏附层的高附着力铂薄膜温度传感器及其制备方法，该铂薄膜温度传感器从下往上依次包括氧化铝陶瓷基底、铂薄膜层、二氧化硅保护层；该结构不包含黏附层，通过改进磁控溅射工艺和离子束刻蚀工艺参数，增强了铂薄膜层和基底之间的黏附性，提高了温度传感器的探测精度，同时减少了工艺制备流程，提高制备效率；而在引线封装中，其使用热压焊技术和玻璃浆料绝缘处理，提高了焊接引线的成功率，有效减少噪声干扰。另外，本发明通过多段冷却刻蚀工艺解决了离子束刻蚀过程中光刻胶碳化问题。
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公开(公告)号：CN117812985A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410232238.0
申请日：2024-03-01
Applicant: 中北大学
IPC: H10N10/17 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明属于柔性传感器技术、光热电技术和纳米材料制备技术领域，公开了一种基于喷涂法的柔性光热电探测器件及其制备方法，器件包括依次设置的衬底层、底电极层、光热电敏感层和顶电极层；所述光热电敏感层材料为Ag2Se纳米线与PVP的混合物，通过喷涂法制备在底电极层上。本发明制备方法简单，简单高效无毒，而且，PVP可以保护Ag2Se纳米棒使其不易氧化，使得器件的热电性能在干燥环境中能长时间保持稳定，提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114542682A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210208179.4
申请日：2022-03-04
Applicant: 中北大学
IPC: F16H37/12 , F16H57/08 , F16H57/023 , F16H57/035 , F03G5/02 , H02K7/18 , H02K7/116
Abstract: 本申请涉及人体动能采集技术领域，具体提供了一种基于人体关节摆动的能量采集装置。该装置包括发电机、第一齿轮组、第二齿轮组、轴、皮带、换向连接器、第一结构外壳、第二结构外壳、第一齿轮、第二齿轮，发电机、第一齿轮组、第二齿轮组、轴、皮带、第一齿轮、第二齿轮均设置在第一结构外壳内，换向连接器与第二结构外壳固定连接，换向连接器与第一齿轮组可转动连接，发电机固定在第一结构外壳的一端，第一齿轮与发电机的转轴固定连接，第一齿轮组固定在第一结构外壳的另一端，第二齿轮组通过轴与第一齿轮组固定连接，第二齿轮与第二齿轮组固定连接，第一齿轮和第二齿轮通过皮带传动连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594378A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310593276.0
申请日：2013-11-23
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/66568
Abstract: 本发明为一种凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法，解决了石墨烯沟道与衬底和栅介质层直接接触带来的性能降低的问题。本发明方法在衬底上形成凹槽结构，在凹槽底部制作栅电极和栅介质，然后转移石墨烯薄膜至衬底上以覆盖凹槽，且在石墨烯薄膜两侧制作源、漏极，石墨烯薄膜和栅介质之间形成悬空的石墨烯沟道，避免了石墨烯沟道与衬底、栅介质直接接触。通过悬空的石墨烯沟道，避免衬底和栅介质层对石墨烯基本特性的影响，进一步提高了石墨烯晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN102540626A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014096.8
申请日：2012-01-18
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于光波导微环谐振腔的全光逻辑门，包括一个可输入信号光脉冲和控制光脉冲的光波导(1)，一个光波导微环谐振腔(2)，衬底(3)，缓冲层(4)以及与所述光波导(1)相连的入射光纤(5)及出射光纤(6)；其中所述光波导微环谐振腔(2)处于光波导(1)的输入端与输出端的中间位置。本发明还公开了利用该全光逻辑门实现光逻辑运算的方法。本发明设计和提供了一种能够执行光逻辑运算并且结构简单、开关门限值低，功耗低、速度快、适用范围更广、能在半导体材料基片上采用集成制造工艺实现的光逻辑运算器件，相比现有的光学逻辑器件更加方便实用，可广泛应用于全光计算、全光通信以及集成光路系统中。
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公开(公告)号：CN118714909A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411195617.3
申请日：2024-08-29
Applicant: 中北大学
IPC: H10N10/851 , H10N10/17 , H10N10/01 , H10N10/80 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J3/28 , G01J5/12 , G01J5/14
Abstract: 本发明公开了一种免制冷、宽光谱的硅基集成光热电探测器件及其制备方法，属于光热电探测器件制备技术领域。所述光热电探测器件的结构包括：一侧表面的中间为微纳米黑硅结构的绝缘衬底层、位于所述绝缘衬底层上包围所述微纳米黑硅结构的钝化保护层、所述微纳米黑硅结构表面生长的贵金属纳米粒子层、位于所述钝化保护层上的热电薄膜以及位于所述热电薄膜上的电极。本发明通过在硅基表面形成微纳结构并溅射贵金属纳米颗粒形成等离激元，结合共溅射薄膜制备技术，解决了现有光电探测器结构单一、感知光谱范围有限及集成度低等诸多问题。
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公开(公告)号：CN118372292B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410817448.6
申请日：2024-06-24
Applicant: 中北大学
IPC: B25J19/00
Abstract: 本发明公开了一种电触发气体推动的脱锁机构，属于机器人脱锁技术领域，包括壳体、壳盖、内固定体、气体发生器、活塞、锁定器、摇臂；壳盖用于封闭壳体上部开口；活塞设置于壳体内，并将壳体内空间分为上下两部分；气体发生器设置在活塞上方，用于释放气体推动活塞使其向下运动；壳体内呈轴对称分布设置有多个锁定器，锁定器上方与活塞底部固定连接；内固定体设置在各个锁定器之间，内固定体的圆周上与各个锁定器对应位置转动设置有摇臂；摇臂包括分别位于转轴两侧的第一卡凸和第二卡凸；锁定器上设置有与第一卡凸配合的第一卡槽，投放物上设置有与第二卡凸配合的第二卡槽。本发明结构简单，控制方便，解锁速度快，可靠性高。
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公开(公告)号：CN117213616B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311481470.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种应力释放结构的压电水听器单元，其包括SOI晶圆基底以及下电极薄膜、压电层和上电极薄膜，SOI晶圆基底包括衬底层、埋氧层和器件层，衬底层刻蚀有圆柱形背腔，下电极薄膜、压电层和上电极薄膜均刻蚀为圆形结构，圆形结构的侧壁上沿上下方向刻蚀有四个扇环体凹槽，扇环体凹槽从压电层上表面向下刻蚀至埋氧层上表面，四个扇环体凹槽沿圆形结构的周向均布。设置扇环体凹槽可将夹紧型边界条件变为简单支撑型边界条件，压电层的振型状态从类似高斯型变为类似活塞型，三明治结构的薄膜振动幅值增大，应力释放结构可释放薄膜结构层上的应力，提高水听器的综合性能。
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