公开(公告)号：CN115584556B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202211124135.X

申请日：2022-09-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 许志鹏 ,  何志强 ,  田庆华 ,  郭学益 ,  李栋 ,  贾莉梨

IPC: C30B28/08 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开了一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法，该方法包括以下步骤：(1)将碲原料装入石墨舟，在石墨舟头部放入籽晶，装入区熔炉体，调整炉内为还原性氛围；(2)进行引晶；(3)进行区熔；(4)重复步骤(2)、(3)8～12次，冷却至室温，取出高纯碲样品，切割加工得到高纯碲。本发明采用籽晶引导碲晶体生长，使碲原料中的间隙分布更加均匀，改善区熔过程中杂质在碲原料中的扩散环境，从而提高区熔过程除杂效率。本发明引晶过程是在还原密闭条件下进行的，且引晶后直接进行区熔操作，二次污染风险小，产品纯度高，产品纯度达到7N碲标准。

公开(公告)号：CN115584556A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211124135.X

申请日：2022-09-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 许志鹏 ,  何志强 ,  田庆华 ,  郭学益 ,  李栋 ,  贾莉梨

IPC: C30B28/08 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开了一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法，该方法包括以下步骤：(1)将碲原料装入石墨舟，在石墨舟头部放入籽晶，装入区熔炉体，调整炉内为还原性氛围；(2)进行引晶；(3)进行区熔；(4)重复步骤(2)、(3)8～12次，冷却至室温，取出高纯碲样品，切割加工得到高纯碲。本发明采用籽晶引导碲晶体生长，使碲原料中的间隙分布更加均匀，改善区熔过程中杂质在碲原料中的扩散环境，从而提高区熔过程除杂效率。本发明引晶过程是在还原密闭条件下进行的，且引晶后直接进行区熔操作，二次污染风险小，产品纯度高，产品纯度达到7N碲标准。