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公开(公告)号:CN104844206B
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201510196581.5
申请日:2015-04-23
Applicant: 中国矿业大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高性能微波介质陶瓷材料的制备方法,先将化学原料ZnO、ZrO2、Nb2O5按化学计量式ZnZrNb2O8称量配料,再经过球磨、烘干,外加6~10wt%的石蜡,碾匀后过筛,压制成型为坯体,于1075~1225℃烧结,制成微波介质陶瓷材料。本发明在传统固相反应法的基础上,优化了制备工艺,其介电常数为22.13~27.21,品质因数(Q×f)为37,000~75,000GHz,减少了二次球磨和煅烧工艺,缩短了工艺周期,节约了资源,且过程无污染,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN104844206A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201510196581.5
申请日:2015-04-23
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高性能微波介质陶瓷材料的制备方法,先将化学原料ZnO、ZrO2、Nb2O5按化学计量式ZnZrNb2O8称量配料,再经过球磨、烘干,外加6~10wt%的石蜡,碾匀后过筛,压制成型为坯体,于1075~1225℃烧结,制成微波介质陶瓷材料。本发明在传统固相反应法的基础上,优化了制备工艺,其介电常数为22.13~27.21,品质因数(Q×f)为37,000~75,000GHz,减少了二次球磨和煅烧工艺,缩短了工艺周期,节约了资源,且过程无污染,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN108409157A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810226667.1
申请日:2018-03-19
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法,属于可见光响应的光电极材料的制备方法。配制水热反应前驱体溶液,往水中依次加入可溶性的二价锌盐、三价铟盐、硫脲以及适量的盐酸,充分搅拌均匀至澄清溶液状态,无任何沉淀不溶物存在;再将前驱体溶液及衬底转移至水热反应釜中,保持导电面朝下放置,升温至200~250℃,使其反应2~6h;反应釜自然冷却后,取出反应产物,洗涤、干燥。制备出的ZnIn2S4纳米薄片阵列具有比表面积大、可见光响应、单晶有序结构、附着力强、耐腐蚀等优点,能够生长在各种类型的衬底上,应用于光电催化分解水制氢、污水处理、生物传感、太阳能电池等领域;方法简单、无毒,且易于操作、制备工艺参数窗口宽,制备成本低,适合工业化生产。
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