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公开(公告)号：CN118183615B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410262651.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国矿业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种二维材料表面褶皱阵列结构的制备方法；包括：步骤1，将二维材料置于衬底表面，对样品进行图形化处理，将二维材料制备成条带状或者圆环状；步骤2，将样品进行温度变化处理，形成相互平行的褶皱阵列结构。本发明基于微纳加工技术与二维材料特性的结合，实现了在二维材料表面可控的褶皱阵列制备。本发明方法实现对二维材料性质的结构与性能的调控，拓展其在光电器件、传感器、催化剂、粒子输运等领域的应用。本发明所涉及的二维材料表面褶皱阵列结构的方法，通过对样品进行图形化与温度变化处理，制备得到在条带或圆环中垂直长边方向形成褶皱，而垂直短边方向无法形成褶皱的褶皱阵列。
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公开(公告)号：CN108774062A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201811039570.6
申请日：2018-09-06
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种中介电常数微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为Mg2NdTiO5.5。本发明以MgO、Nd2O3、TiO2作为原料，利用固相反应制备出微波介质陶瓷Mg2NdTiO5.5，最终提供了具有中介电常数及较高品质因数的微波介质陶瓷材料，该陶瓷材料的煅烧温区为900～1300℃，烧结温区为1400℃～1550℃，介电常数为24～27，品质因数为7658～15579GHz，性能稳定，能够应用于制造微波元件。本发明的制备工艺操作简单，制备工艺流程可靠、容易实现材料的稳定生产；烧结时的可选参数范围较大且可调控，容错率和良品率较高，大大降低了次品率和总体制造成本，适合工业化生产和大力推广。
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公开(公告)号：CN115347250B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202211022973.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供一种能源存储与转化一体化系统，涉及能源存储与转化领域。所述一种能源存储与转化一体化系统包括底座，所述主侧管内设有蓄气组件，所述主侧管的侧壁上固定连接有副侧管，所述副侧管内设有补加组件。本发明提供的一种能源存储与转化一体化系统通过电机工作使驱动轴转动带动横板滑动往复一次，外界空气与配量的催化剂同时排出至反应壳左侧腔内的含酸水溶液中，空气中的氮气均匀的分散于水中在催化剂的作用下充分反应生出氨气；通过氨气经过输气管输送至右侧的多孔分流壳内部与水充分接触，电极组件工作对氨气与水进行电离，即可使水中分布着铵根离子，所得的铵根离子为电荷载体构筑水系铵离子电池。
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公开(公告)号：CN104844206A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510196581.5
申请日：2015-04-23
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高性能微波介质陶瓷材料的制备方法，先将化学原料ZnO、ZrO2、Nb2O5按化学计量式ZnZrNb2O8称量配料，再经过球磨、烘干，外加6～10wt％的石蜡，碾匀后过筛，压制成型为坯体，于1075～1225℃烧结，制成微波介质陶瓷材料。本发明在传统固相反应法的基础上，优化了制备工艺，其介电常数为22.13～27.21，品质因数(Q×f)为37,000～75,000GHz，减少了二次球磨和煅烧工艺，缩短了工艺周期，节约了资源，且过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115327456B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211065933.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供了一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试系统，将待测量的n型掺杂的GaAs半导体样品放入测试系统中；步骤2，测量n型掺杂的GaAs半导体样品的自旋霍尔角。本发明利用霍尔效应将逆自旋霍尔效应进行归一化，可以扣除测试光斑面积、测试光斑位置，电极位置和大小，以及外接测试源表引入的不确定性。使测试结果的可靠性更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115347250A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211022973.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供一种能源存储与转化一体化系统，涉及能源存储与转化领域。所述一种能源存储与转化一体化系统包括底座，所述主侧管内设有蓄气组件，所述主侧管的侧壁上固定连接有副侧管，所述副侧管内设有补加组件。本发明提供的一种能源存储与转化一体化系统通过电机工作使驱动轴转动带动横板滑动往复一次，外界空气与配量的催化剂同时排出至反应壳左侧腔内的含酸水溶液中，空气中的氮气均匀的分散于水中在催化剂的作用下充分反应生出氨气；通过氨气经过输气管输送至右侧的多孔分流壳内部与水充分接触，电极组件工作对氨气与水进行电离，即可使水中分布着铵根离子，所得的铵根离子为电荷载体构筑水系铵离子电池。
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公开(公告)号：CN115327456A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211065933.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供了一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试系统，将待测量的n型掺杂的GaAs半导体样品放入测试系统中；步骤2，测量n型掺杂的GaAs半导体样品的自旋霍尔角。本发明利用霍尔效应将逆自旋霍尔效应进行归一化，可以扣除测试光斑面积、测试光斑位置，电极位置和大小，以及外接测试源表引入的不确定性。使测试结果的可靠性更高。
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公开(公告)号：CN110372383A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910640452.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高Q温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用，其化学式为CexY1-xO1.5+x/2，(x＝0.5，0.75)，式中x为Y的摩尔掺杂量。本发明用固相反应法制备的微波介质陶瓷，其烧结温度为1400～1550℃，密度为5.652～6.054g/cm3，介电常数为19.25～20.46，品质因数为65600～149290GHz，谐振频率温度系数为-29.8～-13.52ppm/℃。用该微波介质陶瓷制成的元件不仅具有更稳定的性能和使用寿命，还具有更强的热稳定性以减少信号的传播错误。同时，本发明的制备工艺流程可靠，操作简单，容错率较高，适合工业化生产，具有很高的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN107586133B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710850861.2
申请日：2017-09-20
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为Mg2NdNbO6。按化学式Mg2NdNbO6中各元素的摩尔比分别称量MgO、Nd2O3、Nb2O5并混合后两次与无水乙醇和锆球混合球磨、烘干、煅烧，最终制成微波介质陶瓷Mg2NdNbO6。该材料介电常数为15.7～16.3，有利于微波元器件的小型化；其具有较高的品质因数，可以提升制成的微波元器件的品质、同时降低能量损耗；热稳定性好，拓宽了使用温度的限制，可以用于制作微波元器件，本发明制备过程简单、易于重复操作，能够提升制得成品的合格率，且生产过程中不会对环境造成污染。
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公开(公告)号：CN119372617A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411440128.X
申请日：2024-10-15
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供了一种利用等离子体处理辅助六方氮化硼表面石墨烯形核的方法；包括：步骤1，衬底制备：将六方氮化硼薄片制备到基片表面，清洗，退火，得到表面附有洁净六方氮化硼薄片的基片；步骤2，缺陷引入：将基片放置到可以产生等离子体气氛的腔室中，通入实验气体，进行氮化硼表面缺陷引入处理；步骤3，石墨烯生长形核：将引入缺陷的氮化硼放置到管式炉中，通入碳源气体进行石墨烯形核生长。本发明所涉及的方法利用等离子体预处理在六方氮化硼表面进行缺陷引入，利用缺陷位置可以作为石墨烯形核点的特性，提高石墨烯形核密度，实现石墨烯生长效率的提高。
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