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公开(公告)号：CN115060929A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210646481.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 中国矿业大学
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明涉及一种二维材料缺陷调控与快速表征的方法，包括以下步骤：S1.制备二维材料：在非导体衬底表面进行二维材料的制备；S2.二维材料缺陷引入：将制备好的二维材料置于等离子体装置中，通入实验气体后利用等离子体对二维材料表面进行类型、密度与深度可控的缺陷引入；S3.二维材料缺陷的表征：在对二维材料进行缺陷引入后，使用原子力显微镜对其进行缺陷的快速分布表征与深度表征。上述技术方案中提供的二维材料缺陷调控与快速表征的方法，能够利用低功率等离子体辅助技术在二维材料表面进行缺陷深度可控引入，并能够对缺陷进行快速表征。
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