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公开(公告)号：CN118183615B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410262651.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国矿业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种二维材料表面褶皱阵列结构的制备方法；包括：步骤1，将二维材料置于衬底表面，对样品进行图形化处理，将二维材料制备成条带状或者圆环状；步骤2，将样品进行温度变化处理，形成相互平行的褶皱阵列结构。本发明基于微纳加工技术与二维材料特性的结合，实现了在二维材料表面可控的褶皱阵列制备。本发明方法实现对二维材料性质的结构与性能的调控，拓展其在光电器件、传感器、催化剂、粒子输运等领域的应用。本发明所涉及的二维材料表面褶皱阵列结构的方法，通过对样品进行图形化与温度变化处理，制备得到在条带或圆环中垂直长边方向形成褶皱，而垂直短边方向无法形成褶皱的褶皱阵列。
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公开(公告)号：CN115327456B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211065933.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供了一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试系统，将待测量的n型掺杂的GaAs半导体样品放入测试系统中；步骤2，测量n型掺杂的GaAs半导体样品的自旋霍尔角。本发明利用霍尔效应将逆自旋霍尔效应进行归一化，可以扣除测试光斑面积、测试光斑位置，电极位置和大小，以及外接测试源表引入的不确定性。使测试结果的可靠性更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115327456A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211065933.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供了一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试系统，将待测量的n型掺杂的GaAs半导体样品放入测试系统中；步骤2，测量n型掺杂的GaAs半导体样品的自旋霍尔角。本发明利用霍尔效应将逆自旋霍尔效应进行归一化，可以扣除测试光斑面积、测试光斑位置，电极位置和大小，以及外接测试源表引入的不确定性。使测试结果的可靠性更高。
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公开(公告)号：CN115060929A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210646481.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 中国矿业大学
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明涉及一种二维材料缺陷调控与快速表征的方法，包括以下步骤：S1.制备二维材料：在非导体衬底表面进行二维材料的制备；S2.二维材料缺陷引入：将制备好的二维材料置于等离子体装置中，通入实验气体后利用等离子体对二维材料表面进行类型、密度与深度可控的缺陷引入；S3.二维材料缺陷的表征：在对二维材料进行缺陷引入后，使用原子力显微镜对其进行缺陷的快速分布表征与深度表征。上述技术方案中提供的二维材料缺陷调控与快速表征的方法，能够利用低功率等离子体辅助技术在二维材料表面进行缺陷深度可控引入，并能够对缺陷进行快速表征。
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公开(公告)号：CN119372617A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411440128.X
申请日：2024-10-15
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供了一种利用等离子体处理辅助六方氮化硼表面石墨烯形核的方法；包括：步骤1，衬底制备：将六方氮化硼薄片制备到基片表面，清洗，退火，得到表面附有洁净六方氮化硼薄片的基片；步骤2，缺陷引入：将基片放置到可以产生等离子体气氛的腔室中，通入实验气体，进行氮化硼表面缺陷引入处理；步骤3，石墨烯生长形核：将引入缺陷的氮化硼放置到管式炉中，通入碳源气体进行石墨烯形核生长。本发明所涉及的方法利用等离子体预处理在六方氮化硼表面进行缺陷引入，利用缺陷位置可以作为石墨烯形核点的特性，提高石墨烯形核密度，实现石墨烯生长效率的提高。
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公开(公告)号：CN118183615A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410262651.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国矿业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种二维材料表面褶皱阵列结构的制备方法；包括：步骤1，将二维材料置于衬底表面，对样品进行图形化处理，将二维材料制备成条带状或者圆环状；步骤2，将样品进行温度变化处理，形成相互平行的褶皱阵列结构。本发明基于微纳加工技术与二维材料特性的结合，实现了在二维材料表面可控的褶皱阵列制备。本发明方法实现对二维材料性质的结构与性能的调控，拓展其在光电器件、传感器、催化剂、粒子输运等领域的应用。本发明所涉及的二维材料表面褶皱阵列结构的方法，通过对样品进行图形化与温度变化处理，制备得到在条带或圆环中垂直长边方向形成褶皱，而垂直短边方向无法形成褶皱的褶皱阵列。
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公开(公告)号：CN116953460A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310343507.6
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供了一种测量微纳器件圆二色性光电流显微成像的方法，包括：步骤1，建立实验系统，所述实验系统包括532nm激光器、两个反射镜、斩波器、小孔空间滤波器、透镜、起偏器、四分之一波片、步进电机、照明白光LED、半反半透平板、分光晶体、电荷耦合器件CCD、显微物镜、二维微纳米平移台、电流放大器和锁相放大器；步骤2，通过实验系统测量微纳器件圆二色性光电流显微成像。本发明使用的光路和测试方法搭建简单，易操作。且价格相对于现有的测试设备低廉。
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