公开(公告)号：CN102117823B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010532660.6

申请日：2010-11-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  张兵 ,  宋志棠 ,  顾怡峰 ,  刘波 ,  封松林

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大尺寸选通管的矛盾，避开低效率、高难度集成问题，实现电阻转换纳米线与选通管的无缝对接，最终通过低成本的方法实现超高密度、高性能的电阻转换存储器阵列的高效制造。

公开(公告)号：CN102117823A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010532660.6

申请日：2010-11-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  张兵 ,  宋志棠 ,  顾怡峰 ,  刘波 ,  封松林

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大尺寸选通管的矛盾，避开低效率、高难度集成问题，实现电阻转换纳米线与选通管的无缝对接，最终通过低成本的方法实现超高密度、高性能的电阻转换存储器阵列的高效制造。