公开(公告)号：CN103715291A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310746552.2

申请日：2013-12-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王丰 ,  曹俊诚

IPC: H01L31/08

CPC classification number: H01L31/08

Abstract: 本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。

公开(公告)号：CN103715291B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310746552.2

申请日：2013-12-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王丰 ,  曹俊诚

IPC: H01L31/08

Abstract: 本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。

公开(公告)号：CN104316498A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410637244.0

申请日：2014-11-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王丰 ,  曹俊诚

IPC: G01N21/552

Abstract: 本发明提供一种表面等离子体共振的太赫兹传感器，所述太赫兹传感器至少包括：重掺杂半导体薄膜，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；光波导耦合层，形成于所述重掺杂半导体薄膜的第一表面；传感片，形成于所述重掺杂半导体薄膜的第二表面，所述传感片置于样品通道中、与待测分子接触；太赫兹量子级联激光器，发射太赫兹光至所述光波导耦合层；太赫兹探测器，探测太赫兹光。本发明的激光器产生太赫兹激光在光波导耦合层和重掺杂半导体薄膜表面产生全反射，在界面产生消逝波，同时在重掺杂半导体薄膜和分子敏感膜之间产生表面等离子体波，通过调节入射光到共振角度可使得消逝波和表面等离子体波形成共振。该传感器可实现生物大分子在太赫兹共振频段的探测。

公开(公告)号：CN104316498B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410637244.0

申请日：2014-11-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王丰 ,  曹俊诚

IPC: G01N21/552

Abstract: 本发明提供一种表面等离子体共振的太赫兹传感器，所述太赫兹传感器至少包括：重掺杂半导体薄膜，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；光波导耦合层，形成于所述重掺杂半导体薄膜的第一表面；传感片，形成于所述重掺杂半导体薄膜的第二表面，所述传感片置于样品通道中、与待测分子接触；太赫兹量子级联激光器，发射太赫兹光至所述光波导耦合层；太赫兹探测器，探测太赫兹光。本发明的激光器产生太赫兹激光在光波导耦合层和重掺杂半导体薄膜表面产生全反射，在界面产生消逝波，同时在重掺杂半导体薄膜和分子敏感膜之间产生表面等离子体波，通过调节入射光到共振角度可使得消逝波和表面等离子体波形成共振。该传感器可实现生物大分子在太赫兹共振频段的探测。