公开(公告)号：CN108712813A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201811065920.6

申请日：2018-09-13

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 赵馗 ,  饭塚浩 ,  倪图强 ,  庞晓贝

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明公开了一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器，所述可切换匹配网络能够在两个射频偏压频率之间进行选择。该匹配网络特别适用于电感耦合等离子体处理器。所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至第一信号源的第一输入端口和耦合至负载的第一输出端口；第二匹配电路，其具有连接至第二信号源的第二输入端口和耦合至所述负载的第二输出端口；开关装置，其具有第一至第三连接点，所述第一连接点连接至所述第一输入端口，所述第二连接点连接至所述第二输出端口；以及，可变电容器，其连接在电接地端和所述开关装置的所述第三连接点之间。

公开(公告)号：CN109216144A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710533117.X

申请日：2017-07-03

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 赵馗 ,  刘身健 ,  倪图强

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，导电基座外侧壁涂覆有至少一层耐等离子腐蚀的绝缘材料层，一个由绝缘材料制成的耦合环围绕在基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，还包括一个环形电极位于所述耦合环上方和聚焦环的下方，一导线第一端电连接到所述基座，第二端连接到所述环形电极，一可变电容串联在所述导线上。

公开(公告)号：CN108712813B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811065920.6

申请日：2018-09-13

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 赵馗 ,  饭塚浩 ,  倪图强 ,  庞晓贝

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明公开了一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器，所述可切换匹配网络能够在两个射频偏压频率之间进行选择。该匹配网络特别适用于电感耦合等离子体处理器。所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至第一信号源的第一输入端口和耦合至负载的第一输出端口；第二匹配电路，其具有连接至第二信号源的第二输入端口和耦合至所述负载的第二输出端口；开关装置，其具有第一至第三连接点，所述第一连接点连接至所述第一输入端口，所述第二连接点连接至所述第二输出端口；以及，可变电容器，其连接在电接地端和所述开关装置的所述第三连接点之间。

公开(公告)号：CN108269726A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201611253676.7

申请日：2016-12-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 赵馗 ,  倪图强

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J2237/3348

Abstract: 本发明提供一种等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统，用以改善射频功率输出的稳定性。其中的等离子体刻蚀方法，包括多个工作周期，每一周期包括两个阶段：第一阶段，施加并保持偏置功率(P)与射频功率(P1)；第二阶段，设置偏置功率为零，同时调高射频功率(P2)；在所述周期内，射频功率的频率保持不变。更优的实施方式是，在所述周期内保持等离子体阻抗稳定。