公开(公告)号：CN109727940A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811239550.3

申请日：2018-10-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 武直矢 ,  儿玉幸雄 ,  大岛正范

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开半导体装置。半导体装置具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封半导体元件；以及引线，连接于信号焊盘。引线从位于密封体的外部的第1端延伸至位于密封体的内部的第2端，在密封体的内部经由键合线连接于信号焊盘。从引线的第1端延伸至第2端的上表面具有：接合区间，接合键合线；以及粗糙面区间，位于密封体的内部，并且上述粗糙面区间的表面粗糙度比接合区间大。而且，粗糙面区间的至少一部分位于比接合区间靠下方的位置。

公开(公告)号：CN108376675A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810073357.0

申请日：2018-01-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 渡边健雅 ,  武直矢 ,  儿玉幸雄

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05188 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，可抑制铝溅出。半导体装置具有：电极焊盘，配置在半导体基板的上部；及引线，接合于上述电极焊盘且含有铜。上述电极焊盘具有含有铝的电极层和比上述引线及上述电极层硬的支撑层。上述引线与上述电极层及上述支撑层接触。通过上述支撑层来支撑上述引线，抑制了上述电极层的变形。由此，可抑制铝溅出。

公开(公告)号：CN109727940B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201811239550.3

申请日：2018-10-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 武直矢 ,  儿玉幸雄 ,  大岛正范

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开半导体装置。半导体装置具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封半导体元件；以及引线，连接于信号焊盘。引线从位于密封体的外部的第1端延伸至位于密封体的内部的第2端，在密封体的内部经由键合线连接于信号焊盘。从引线的第1端延伸至第2端的上表面具有：接合区间，接合键合线；以及粗糙面区间，位于密封体的内部，并且上述粗糙面区间的表面粗糙度比接合区间大。而且，粗糙面区间的至少一部分位于比接合区间靠下方的位置。