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公开(公告)号：CN107104056B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201610989359.5
申请日：2016-11-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其目的在于，在相互被焊接的两个部件的各Ni膜上生成预先设定的量的(Cu，Ni)6Sn5。本发明的半导体装置的制造方法包括第一热处理工序、第二热处理工序和第三热处理工序。在第一热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第一Sn‑Cu系焊锡在被形成于第一部件上的Ni膜上熔融，从而在第一部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5。在第二热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第二Sn‑Cu系焊锡在被形成于第二部件上的Ni膜上熔融，从而在第二部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5。而且，在第三热处理工序中，使第一热处理工序后的第一Sn‑Cu系焊锡与第二热处理工序后的第二Sn‑Cu系焊锡熔融而一体化，从而使第一部件与第二部件相互接合。
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公开(公告)号：CN109727940B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201811239550.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明公开半导体装置。半导体装置具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封半导体元件；以及引线，连接于信号焊盘。引线从位于密封体的外部的第1端延伸至位于密封体的内部的第2端，在密封体的内部经由键合线连接于信号焊盘。从引线的第1端延伸至第2端的上表面具有：接合区间，接合键合线；以及粗糙面区间，位于密封体的内部，并且上述粗糙面区间的表面粗糙度比接合区间大。而且，粗糙面区间的至少一部分位于比接合区间靠下方的位置。
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公开(公告)号：CN108447794A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810059232.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 武直矢
CPC classification number: H01L24/48 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/45147 , H01L2224/48453 , H01L2224/48855 , H01L2224/49175 , H01L2224/85205 , H01L2224/85236 , H01L2224/85801 , H01L2924/0483 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，可抑制半导体基板的损伤并抑制接合后的铜线的前端的直径增大。该半导体装置的制造方法具有将含有铜的引线接合于设置在半导体基板的表面上的电极焊盘的工序。上述电极焊盘在其表层部具有比上述引线硬的硬质金属层。在上述硬质金属层的表面设有凹部。接合前的上述引线具有线状部和球状部，上述球状部配置在上述线状部的前端且上述球状部的直径大于上述线状部的直径。在进行接合的上述工序中，将上述球状部接合于上述凹部内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109727940A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811239550.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明公开半导体装置。半导体装置具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封半导体元件；以及引线，连接于信号焊盘。引线从位于密封体的外部的第1端延伸至位于密封体的内部的第2端，在密封体的内部经由键合线连接于信号焊盘。从引线的第1端延伸至第2端的上表面具有：接合区间，接合键合线；以及粗糙面区间，位于密封体的内部，并且上述粗糙面区间的表面粗糙度比接合区间大。而且，粗糙面区间的至少一部分位于比接合区间靠下方的位置。
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公开(公告)号：CN108376675A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810073357.0
申请日：2018-01-25
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05015 , H01L2224/05076 , H01L2224/05124 , H01L2224/05184 , H01L2224/05188 , H01L2224/05624 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/4502 , H01L2224/45147 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2924/05442 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/35121 , H01L2924/01014 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，可抑制铝溅出。半导体装置具有：电极焊盘，配置在半导体基板的上部；及引线，接合于上述电极焊盘且含有铜。上述电极焊盘具有含有铝的电极层和比上述引线及上述电极层硬的支撑层。上述引线与上述电极层及上述支撑层接触。通过上述支撑层来支撑上述引线，抑制了上述电极层的变形。由此，可抑制铝溅出。
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公开(公告)号：CN108735699A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810342630.5
申请日：2018-04-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 武直矢
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05638 , H01L2224/0612 , H01L2224/4845 , H01L2224/48824 , H01L2924/0483 , H01L2924/386
Abstract: 本发明提供一种抑制接合焊盘间的短路的技术。半导体装置具有：半导体基板；第一接合焊盘，设在所述半导体基板的上表面，且由含有铝的金属构成；及第二接合焊盘，设在所述半导体基板的所述上表面。所述第一接合焊盘的上表面以越接近所述第二接合焊盘则越位于上方的方式倾斜。
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公开(公告)号：CN107104056A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610989359.5
申请日：2016-11-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其目的在于，在相互被焊接的两个部件的各Ni膜上生成预先设定的量的(Cu，Ni)6Sn5。本发明的半导体装置的制造方法包括第一热处理工序、第二热处理工序和第三热处理工序。在第一热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第一Sn‑Cu系焊锡在被形成于第一部件上的Ni膜上熔融，从而在第一部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5。在第二热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第二Sn‑Cu系焊锡在被形成于第二部件上的Ni膜上熔融，从而在第二部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5。而且，在第三热处理工序中，使第一热处理工序后的第一Sn‑Cu系焊锡与第二热处理工序后的第二Sn‑Cu系焊锡熔融而一体化，从而使第一部件与第二部件相互接合。
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公开(公告)号：CN106887421A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611089632.5
申请日：2016-12-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/4951 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49572 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/33181 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83909 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L24/31 , H01L2224/32501 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其具备半导体元件与导电性部件。半导体元件具有第一电极与第二电极，并允许电流从第一电极向第二电极流通且禁止电流从第二电极向第一电极流通。导电性部件经由焊锡接合层而与半导体元件的第二电极接合。与焊锡接合层接触的第二电极的表面由以镍为主要成分的金属材料构成，与焊锡接合层接触的导电性部件的表面由以铜为主要成分的金属材料构成。而且，焊锡接合层具有第一化合物层和第二化合物层，所述第一化合物层位于焊锡接合层与第二电极的界面处且由镍‑锡系的金属间化合物构成，所述第二化合物层位于焊锡接合层与所述导电性部件的界面处且由铜‑锡系的金属间化合物构成。
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