公开(公告)号：CN110293456A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910215746.7

申请日：2019-03-21

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 柴田裕司 ,  松原壮一 ,  小出纯

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  B24B37/34

Abstract: 提供晶片的磨削方法，能够在不对环状凸部的上表面的高度进行测量的情况下对环状凸部进行磨削，以使环状凸部的高度为规定的所设定的高度。晶片的磨削方法包含如下的工序：中央磨削工序，通过环状磨具(16)对晶片(W)的中央部分进行磨削而形成圆形凹部(W1)，并且在圆形凹部(W1)的外侧形成环状凸部(W2)；高度位置存储工序，对在中央磨削工序结束时高度位置识别单元(26)所识别的磨削单元(10)的高度位置(Gh)进行存储；以及环状凸部磨削工序，将从所存储的高度位置(Gh)起使磨削单元(10)上升了预先在设定部(40)中设定的环状凸部(W2)的高度设定值(b)后的高度位置设为环状凸部(W2)的磨削结束位置(e)，通过环状磨具(16)对环状凸部(W2)的上表面进行磨削。

公开(公告)号：CN107919382A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710859278.8

申请日：2017-09-21

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 柴田裕司 ,  伊藤达哉

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02021

Abstract: 本发明提供半导体晶片和半导体元件的制造方法，半导体晶片沿着外周面具有厚壁区域，该厚壁区域具有比中央区域厚的厚度。半导体晶片的一侧的主表面具有倾斜面，该倾斜面位于中央区域与厚壁区域之间。倾斜面具有位于中央区域侧的内周缘和位于厚壁区域侧的外周缘，且以半导体晶片的厚度随着从内周缘靠近外周缘而增大的方式倾斜。倾斜面具有内周部分、外周部分和中间部分，该内周部分包括内周缘，该外周部分包括外周缘，该中间部分位于内周部分与外周部分之间。并且，外周部分和内周部分中的至少一方的倾斜角度小于中间部分的倾斜角度。