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发明公开
一种碳化硅晶片缺陷无损检测的方法和装置审中-实审

公开(公告)号：CN118329924A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410359322.9

申请日：2024-05-29

Applicant: 之江实验室

Inventor： 李佳君 , 宋雨萌 , 王启宇 , 朱信翼 , 胡志毅 , 徐南阳

IPC: G01N21/95 , G01N21/01

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶片缺陷无损检测的方法，包括通过微波场扫频和激光照射对碳化硅晶片的待检测位置的双空位色心进行激发产生对应的荧光信号，将所述荧光信号转变为电信号，并通过检测得到待检测位置的双空位色心的荧光强度与微波频率的对应关系，基于所述对应关系得到所述电信号对应的双空位色心的光探测磁共振特征峰的微波频率；当检测到的双空位色心的光探测磁共振特征峰的微波频率偏离对应的标准频率，则待检测位置存在缺陷，从而实现碳化硅晶片缺陷无损检测。该方法易于批量化无损检测的碳化硅晶片缺陷。本发明还公开了一种碳化硅晶片缺陷无损检测装置。

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