公开(公告)号：CN118565616A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410350434.8

申请日：2024-03-26

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王启宇 ,  刘青 ,  李佳君 ,  徐南阳

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/04 ,  G01J1/02

Abstract: 本申请提供了一种紧聚焦光场矢量分布的测量装置和方法，包括激光器输出连续激光至起偏设备，起偏设备将调制后的连续激光经振镜组输入至物镜处产生待测量紧聚焦光场；在物镜下方设有用于单个氮‑空位色心的块状金刚石。通过块状金刚石内确定轴向的氮‑空位色心与待测量紧聚焦光场在焦平面处相互作用，收集到的由氮‑空位色心辐射出的二维荧光图像计算出待测量紧聚焦光场的矢量分布情况。由于采用块状金刚石中氮‑空位色心构成的探头辐射出的荧光稳定且无光漂白性，使得测量方法得到的矢量分布结果理论上分辨率只受振镜的最小旋转角度限制，从而提升结果的准确性。

公开(公告)号：CN118329924A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410359322.9

申请日：2024-05-29

Applicant: 之江实验室

Inventor： 李佳君 ,  宋雨萌 ,  王启宇 ,  朱信翼 ,  胡志毅 ,  徐南阳

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶片缺陷无损检测的方法，包括通过微波场扫频和激光照射对碳化硅晶片的待检测位置的双空位色心进行激发产生对应的荧光信号，将所述荧光信号转变为电信号，并通过检测得到待检测位置的双空位色心的荧光强度与微波频率的对应关系，基于所述对应关系得到所述电信号对应的双空位色心的光探测磁共振特征峰的微波频率；当检测到的双空位色心的光探测磁共振特征峰的微波频率偏离对应的标准频率，则待检测位置存在缺陷，从而实现碳化硅晶片缺陷无损检测。该方法易于批量化无损检测的碳化硅晶片缺陷。本发明还公开了一种碳化硅晶片缺陷无损检测装置。