公开(公告)号：CN101390228B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200780006824.8

申请日：2007-02-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 冈村健 ,  中村成信 ,  川元智裕 ,  伊藤信行 ,  鹤丸尚文 ,  濑户口刚

IPC: H01L41/083 ,  F02M51/06 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H02N2/00

CPC classification number: H01L41/273 ,  C04B35/195 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  F02M51/0603 ,  G01N27/4071 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0838 ,  H01M8/1246 ,  H01M2300/0077 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T29/42 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249981 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷构件的制造方法、陶瓷构件。制造一种金属层的烧结充分进行、金属层中树脂等杂质残渣少且金属层的空隙率高的陶瓷构件。该陶瓷构件的制造方法包含：制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分(M1)的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序；和烧成该层叠成形体的工序，金属成分(M1)相对于含于金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时，将多个金属膏层中至少一层作为质量百分率X比在层叠方向上相邻的第一金属膏层高的第二金属膏层，使该第二金属膏层中含有陶瓷粉末。

公开(公告)号：CN101390228A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006824.8

申请日：2007-02-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 冈村健 ,  中村成信 ,  川元智裕 ,  伊藤信行 ,  鹤丸尚文 ,  濑户口刚

IPC: H01L41/083 ,  F02M51/06 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H02N2/00

CPC classification number: H01L41/273 ,  C04B35/195 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  F02M51/0603 ,  G01N27/4071 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0838 ,  H01M8/1246 ,  H01M2300/0077 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T29/42 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249981 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷构件的制造方法、陶瓷构件。制造一种金属层的烧结充分进行、金属层中树脂等杂质残渣少且金属层的空隙率高的陶瓷构件。该陶瓷构件的制造方法包含：制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分(M1)的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序；和烧成该层叠成形体的工序，金属成分(M1)相对于含于金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时，将多个金属膏层中至少一层作为质量百分率X比在层叠方向上相邻的第一金属膏层高的第二金属膏层，使该第二金属膏层中含有陶瓷粉末。