电子照相感光体及电子照相感光体的制造方法

    公开(公告)号:CN1940736A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200610153036.9

    申请日:2006-09-18

    Abstract: 本发明提供一种很少在高温高湿下发生影像模糊,并且容易制造的电子照相感光体、以及这样的电子照相感光体的制造方法。所述电子照相感光体具有支持基体、中间层和感光体层,其中,中间层含有氧化钛和粘结树脂,同时,该中间层中的ΔL值满足-5.0≤ΔL≤0,或者该中间层中的ΔA值满足ΔA≤0.055,其中,ΔL值:以在支持基体上形成中间层的状态测定的L值(基于JIS Z 8722标准,用色差计测定的参数值)减去单独测定支持基体的L值得到的差值;ΔA值:以在支持基体上形成中间层的状态测定的反射吸光度(用色差计测定的参数值)减去单独测定支持基体的反射吸光度得到的差值。

    电子照相感光体及电子照相感光体的制造方法

    公开(公告)号:CN100535769C

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200610153036.9

    申请日:2006-09-18

    Abstract: 本发明提供一种很少在高温高湿下发生影像模糊,并且容易制造的电子照相感光体、以及这样的电子照相感光体的制造方法。所述电子照相感光体具有支持基体、中间层和感光体层,其中,中间层含有氧化钛和粘结树脂,同时,该中间层中的ΔL值满足-5.0≤ΔL≤0,或者该中间层中的ΔA值满足ΔA≤0.055,其中,ΔL值:以在支持基体上形成中间层的状态测定的L值(基于JIS Z 8722标准,用色差计测定的参数值)减去单独测定支持基体的L值得到的差值;ΔA值:以在支持基体上形成中间层的状态测定的反射吸光度(用色差计测定的参数值)减去单独测定支持基体的反射吸光度得到的差值。

    图像形成装置和图像形成方法

    公开(公告)号:CN100472349C

    公开(公告)日:2009-03-25

    申请号:CN200610104260.9

    申请日:2006-08-07

    CPC classification number: G03G21/06

    Abstract: 本发明提供一种图像形成装置和图像形成方法,即使在作为感光体使用了带正电的单层型电子照相感光体的场合下,通过利用对条件进行了最优化的预带电装置来消除转印记忆,也可以发挥良好的消电效果。该图像形成装置,在单层型电子照相感光体周围,依次配置有带电装置、显影装置、转印装置及消电装置,带电装置是使单层型电子照相感光体表面带正电的带电装置,在消电装置的上游侧,配置有具有导电性部件的预带电装置,导电性部件与单层型电子照相感光体的表面相接触,并且使从导电性部件注入的电流的电流密度(Ib)大于等于700μA/m2。

    图像形成装置和图像形成方法

    公开(公告)号:CN1940746A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200610104260.9

    申请日:2006-08-07

    CPC classification number: G03G21/06

    Abstract: 本发明提供一种图像形成装置和图像形成方法,即使在作为感光体使用了带正电的单层型电子照相感光体的场合下,通过利用对条件进行了最优化的预带电装置来消除转印记忆,也可以发挥良好的消电效果。该图像形成装置,在单层型电子照相感光体周围,依次配置有带电装置、显影装置、转印装置及消电装置,带电装置是使单层型电子照相感光体表面带正电的带电装置,在消电装置的上游侧,配置有具有导电性部件的预带电装置,导电性部件与单层型电子照相感光体的表面相接触,并且使从导电性部件注入的电流的电流密度(Ib)大于等于700μA/m2。

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