公开(公告)号：CN1890603A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480035731.4

申请日：2004-12-01

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： J·A·罗杰斯 ,  S·全 ,  J·朴

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: B81C99/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/703 ,  G03F7/7035 ,  G03F7/70408 ,  Y10S430/146

Abstract: 本发明提供用于在基片表面上制造3D结构和3D结构图案的方法和装置，所述图案包括3D结构的对称和不对称图案。本发明的方法提供了制造具有精确选定的物理尺度3D结构的方法，所述物理尺度包括从几十纳米到几千纳米的横向和竖向尺度。一方面，提供了采用这样的掩模元件的方法，所述掩模元件包括能够与被光加工的辐射敏感材料建立共形接触的适合的弹性体相位掩模。另一方面，对用于光加工的电磁辐射的时间和/或空间相干性进行选择，以制造具有纳米级部件的复杂结构，所述部件不遍布于所制造的结构的整个厚度延伸。

公开(公告)号：CN1890603B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200480035731.4

申请日：2004-12-01

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： J·A·罗杰斯 ,  S·全 ,  J·朴

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: B81C99/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/703 ,  G03F7/7035 ,  G03F7/70408 ,  Y10S430/146

Abstract: 本发明提供用于在基片表面上制造3D结构和3D结构图案的方法和装置，所述图案包括3D结构的对称和不对称图案。本发明的方法提供了制造具有精确选定的物理尺度3D结构的方法，所述物理尺度包括从几十纳米到几千纳米的横向和竖向尺度。一方面，提供了采用这样的掩模元件的方法，所述掩模元件包括能够与被光加工的辐射敏感材料建立共形接触的适合的弹性体相位掩模。另一方面，对用于光加工的电磁辐射的时间和/或空间相干性进行选择，以制造具有纳米级部件的复杂结构，所述部件不遍布于所制造的结构的整个厚度延伸。