公开(公告)号：CN101506413A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680054465.9

申请日：2006-08-17

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： J·A·罗杰斯 ,  C·科卡伯斯 ,  M·沈 ,  S·J·姜 ,  J-U·朴

IPC: D01F9/12

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了具有指定位置、纳米管密度和取向的纵向排列碳纳米管阵列，以及使用导向生长和导向沉积方法制造纳米管阵列的对应方法。还提供了电子器件和器件阵列，包括一个或多个纵向排列碳纳米管阵列，包括多层纳米管阵列结构和器件。