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公开(公告)号：CN101632156B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200680019640.0
申请日：2006-06-01
Applicant: 伊利诺伊大学评议会
IPC: H01L21/302 , H01L21/8242 , H01L23/62 , H05K3/36 , H01R12/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种高产率的用于加工、转移以及组装具有所选择的物理尺寸、形状、成分以及空间取向的高品质可印刷半导体元件的途径。本发明的成分以及方法提供了将微小尺寸和/或纳米尺寸的半导体结构阵列高精度配准转移和集成到基片上，所述基片包括大面积基片和/或柔性基片。此外，本发明提供了从诸如体硅晶片的低成本体材料以及智能材料处理策略来制备可印刷半导体元件的方法，该智能材料处理策略实现了一种用于制备宽范围功能半导体设备的多用途的、以及具有商业吸引力的基于印刷的制造平台。
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公开(公告)号：CN102176465A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110077508.8
申请日：2006-06-01
Applicant: 伊利诺伊大学评议会
IPC: H01L29/16 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/302 , H01L21/20 , H01L21/58 , H01L21/77
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种高产率的用于加工、转移以及组装具有所选择的物理尺寸、形状、成分以及空间取向的高品质可印刷半导体元件的途径。本发明的成分以及方法提供了将微小尺寸和/或纳米尺寸的半导体结构阵列高精度配准转移和集成到基片上，所述基片包括大面积基片和/或柔性基片。此外，本发明提供了从诸如体硅晶片的低成本体材料以及智能材料处理策略来制备可印刷半导体元件的方法，该智能材料处理策略实现了一种用于制备宽范围功能半导体设备的多用途的、以及具有商业吸引力的基于印刷的制造平台。
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公开(公告)号：CN101632156A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200680019640.0
申请日：2006-06-01
Applicant: 伊利诺伊大学评议会
IPC: H01L21/302 , H01L21/8242 , H01L23/62 , H05K3/36 , H01R12/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种高产率的用于加工、转移以及组装具有所选择的物理尺寸、形状、成分以及空间取向的高品质可印刷半导体元件的途径。本发明的成分以及方法提供了将微小尺寸和/或纳米尺寸的半导体结构阵列高精度配准转移和集成到基片上，所述基片包括大面积基片和/或柔性基片。此外，本发明提供了从诸如体硅晶片的低成本体材料以及智能材料处理策略来制备可印刷半导体元件的方法，该智能材料处理策略实现了一种用于制备宽范围功能半导体设备的多用途的、以及具有商业吸引力的基于印刷的制造平台。
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公开(公告)号：CN102176465B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110077508.8
申请日：2006-06-01
Applicant: 伊利诺伊大学评议会
IPC: H01L29/16 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/302 , H01L21/20 , H01L21/58 , H01L21/77
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种高产率的用于加工、转移以及组装具有所选择的物理尺寸、形状、成分以及空间取向的高品质可印刷半导体元件的途径。本发明的成分以及方法提供了将微小尺寸和/或纳米尺寸的半导体结构阵列高精度配准转移和集成到基片上，所述基片包括大面积基片和/或柔性基片。此外，本发明提供了从诸如体硅晶片的低成本体材料以及智能材料处理策略来制备可印刷半导体元件的方法，该智能材料处理策略实现了一种用于制备宽范围功能半导体设备的多用途的、以及具有商业吸引力的基于印刷的制造平台。
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