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公开(公告)号:CN105122448A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201380059169.8
申请日:2013-09-12
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/4334 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/167 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/3011 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种可调复合中介层。复合中介层可以包括衬底元件和支撑元件。衬底元件可以具有限定出小于或等于200微米的厚度的相对的第一和第二表面,并且可以具有暴露在第一表面处的多个触点、和延伸通过该厚度的电传导结构。支撑元件可以具有:半导体材料或者电介质中的至少一个的本体,暴露在支撑元件的第二表面处;开口,延伸通过本体的厚度;传导过孔,在本体的厚度的方向上在至少一些开口内延伸;以及端子,暴露在支撑元件的第一表面处。支撑元件的第二表面可以与衬底元件的第二表面结合。端子可以通过传导过孔和电传导结构与触点电连接。