公开(公告)号：CN115552603A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180033345.5

申请日：2021-04-05

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： J·A·德拉克鲁斯 ,  B·哈巴 ,  R·卡特卡尔

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/00 ,  G11C5/04 ,  G11C11/413

Abstract: 用于利用有源桥将小芯片耦合到微芯片的技术和机制。有源桥包括提供先前可以位于微芯片和/或小芯片上的各种功能和能力的电路。此外，有源桥可以利用直接键合技术经由“本机互连”耦合到微芯片和小芯片。利用有源桥以及有源桥到微芯片和小芯片的直接键合技术，互连的间距可以大大减小，从毫米间距减小到可以在小于1微米到大约5微米的范围内的精细间距。

公开(公告)号：CN116034639A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180046753.4

申请日：2021-06-30

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： 常旭 ,  B·哈巴 ,  R·卡特卡尔 ,  D·E·菲施 ,  J·A·德拉克鲁斯

IPC: H10B43/27 ,  H10B41/27

Abstract: 用于制造诸如3维NAND(3D‑NAND)存储器装置的存储器装置的技术，可以包括将栅极平面(例如，包括字线的平面)分割成条，从而分割存储器单元并增加存储密度用于相应存储器装置的单元。本文描述的技术适用于各种类型的3D‑NAND或其他存储器装置。

公开(公告)号：CN110494983A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880023791.6

申请日：2018-03-13

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： 陶敏 ,  王亮 ,  R·卡特卡尔 ,  C·E·尤佐

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明提供了直接键合的LED阵列和应用。一种示例性方法制造LED结构，该LED结构包括用于LED结构的平整键合界面表面上的LED结构的p型半导体和n型半导体的共面电接触件。平整键合界面表面的共面电接触件直接键合到LED结构的驱动电路的电接触件。在晶圆级工艺中，在第一晶圆上制造微-LED结构，包括用于晶圆的平整键合界面表面上的LED结构的p型半导体和n型半导体的共面电接触件。平整键合界面的至少共面电接触件直接键合到第二晶圆上的CMOS驱动电路的电接触件。该方法提供透明并且柔性的微-LED阵列显示器，其中每个微-LED结构具有约为高分辨率视频显示器的像素的尺寸的照明区域或约为在高分辨率视频显示器上显示的图像的最小可控元件的尺寸的照明区域。