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公开(公告)号：CN107112290A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580053897.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/13 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种用于局部化底充胶的器件和方法，所述器件和方法包括衬底、多个管芯和底充胶材料。衬底包括由多个台面分隔的多个触点以及多个腔体。所述多个管芯使用所述多个触点安装到所述衬底。所述底充胶材料位于所述衬底和所述管芯之间。所述底充胶材料使用所述台面局部化为多个区域。所述触点中的每个位于所述腔体中的相应一个。在一些实施方案中，所述衬底还包括互连所述腔体的多个通道。在一些实施方案中，所述衬底还包括多个腔体内台面，用于进一步局部化所述底充胶材料。在一些实施方案中，所述管芯的第一个的外边缘置于所述腔体的第一个的边缘上。
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公开(公告)号：CN113924559A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080040869.2
申请日：2020-05-26
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: G06F15/78
Abstract: 技术涉及片上系统(SoC)。SoC可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
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公开(公告)号：CN113924559B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202080040869.2
申请日：2020-05-26
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: G06F15/78
Abstract: 技术涉及片上系统(SoC)。SoC可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112290B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201580053897.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/13 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种用于局部化底充胶的器件和方法，所述器件和方法包括衬底、多个管芯和底充胶材料。衬底包括由多个台面分隔的多个触点以及多个腔体。所述多个管芯使用所述多个触点安装到所述衬底。所述底充胶材料位于所述衬底和所述管芯之间。所述底充胶材料使用所述台面局部化为多个区域。所述触点中的每个位于所述腔体中的相应一个。在一些实施方案中，所述衬底还包括互连所述腔体的多个通道。在一些实施方案中，所述衬底还包括多个腔体内台面，用于进一步局部化所述底充胶材料。在一些实施方案中，所述管芯的第一个的外边缘置于所述腔体的第一个的边缘上。
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公开(公告)号：CN107210240B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201680007974.X
申请日：2016-02-01
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
Abstract: 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。
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公开(公告)号：CN115994114A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211305634.9
申请日：2020-05-26
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: G06F15/78 , H04L49/109
Abstract: 本公开涉及片上共生网络。片上系统(SoC)可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
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公开(公告)号：CN115543910A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211305928.1
申请日：2020-05-26
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: G06F15/78 , H04L49/109
Abstract: 本公开涉及片上共生网络。片上系统(SoC)可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
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公开(公告)号：CN107210240A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007974.X
申请日：2016-02-01
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
Abstract: 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。
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