公开(公告)号：CN1173556A

公开(公告)日：1998-02-18

申请号：CN97113523.1

申请日：1997-05-31

Applicant: 伊比登株式会社

Inventor： 加藤浩二 ,  佐藤正行 ,  高木俊

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/14 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088

Abstract: 一种提拉硅单晶装置,包括装置主体,其中配置坩埚且坩埚包括石英坩埚部件和坩埚保护部件,环绕坩埚外部配置加热元件,在加热元件外部配置保温筒,和在保温筒和装置主体之间配置隔热材料,其中由碳质材料制造的保温筒和/或坩埚保护部件内侧至少上部区域用热分解碳膜覆盖。

公开(公告)号：CN1060231C

公开(公告)日：2001-01-03

申请号：CN97113523.1

申请日：1997-05-31

Applicant: 伊比登株式会社

Inventor： 加藤浩二 ,  佐藤正行 ,  高木俊

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/14 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088

Abstract: 一种提拉硅单晶装置，包括装置主体，其中配置坩埚且坩埚包括石英坩埚部件和坩埚保护部件，环绕坩埚外部配置加热元件，在加热元件外部配置保温筒，和在保温筒和装置主体之间配置隔热材料，其中由碳质材料制造的保温筒和/或坩埚保护部件内侧至少上部区域用热分解碳膜覆盖。