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公开(公告)号：CN102414502A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019222.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: F21V29/58 , F21V29/30 , F21V29/83 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明提供一种发光元件光源单元，能够有效且具有高均匀性地对构成发光源的多个发光元件进行冷却，由此，能够抑制发光强度的下降及被光照射的面的照度不匀的产生。发光元件光源单元，具备使多个分别由1个以上发光元件构成的发光部位于顶面上的散热器，其特征在于：上述散热器，在其顶面侧高度，对应于1个或多个发光部而具有用来使冷却介质流通的冷却流路，该冷却流路的冷却介质的流入口及流出口分别与在该冷却流路的下面侧高度形成的冷却介质的供给流路及冷却介质的排出流路连接。
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公开(公告)号：CN103053007A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201180027275.9
申请日：2011-05-30
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 优志旺电机株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , F21K9/69 , H01J61/305 , H01J63/04 , H01J63/06
Abstract: 提供一种能够以小型、高效率发射紫外线的紫外线照射装置。该紫外线照射装置具备在以负压状态密封内部的、具有紫外线透过窗的容器内，具备半导体多层膜元件以及向该半导体多层膜照射电子束的电子束辐射源。另外，半导体多层膜元件具备由InxAlyGal-x-yN（0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1）组成的单一量子阱结构或者多量子阱结构的活性层，通过来自上述电子束辐射源的电子束照射在上述半导体多层膜元件上的活性层上，紫外线从该半导体多层膜元件经由上述紫外线透过窗向外部辐射。另外，在假设电子束的加速电压为V（kV），上述活性层的厚度为t（nm）时，满足下式（1）。式（1）：4.18×V1.50≤t≤10.6×V1.54。
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公开(公告)号：CN102414502B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201080019222.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: F21V29/58 , F21V29/30 , F21V29/83 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明提供一种发光元件光源单元，能够有效且具有高均匀性地对构成发光源的多个发光元件进行冷却，由此，能够抑制发光强度的下降及被光照射的面的照度不匀的产生。发光元件光源单元，具备使多个分别由1个以上发光元件构成的发光部位于顶面上的散热器，其特征在于：上述散热器，在其顶面侧高度，对应于1个或多个发光部而具有用来使冷却介质流通的冷却流路，该冷却流路的冷却介质的流入口及流出口分别与在该冷却流路的下面侧高度形成的冷却介质的供给流路及冷却介质的排出流路连接。
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公开(公告)号：CN103053007B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180027275.9
申请日：2011-05-30
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 优志旺电机株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , F21K9/69 , H01J61/305 , H01J63/04 , H01J63/06
Abstract: 提供一种能够以小型、高效率发射紫外线的紫外线照射装置。该紫外线照射装置具备在以负压状态密封内部的、具有紫外线透过窗的容器内，具备半导体多层膜元件以及向该半导体多层膜照射电子束的电子束辐射源。另外，半导体多层膜元件具备由InxAlyGal-x-yN（0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1）组成的单一量子阱结构或者多量子阱结构的活性层，通过来自上述电子束辐射源的电子束照射在上述半导体多层膜元件上的活性层上，紫外线从该半导体多层膜元件经由上述紫外线透过窗向外部辐射。另外，在假设电子束的加速电压为V（kV），上述活性层的厚度为t（nm）时，满足下式（1）。式（1）：4.18×V1.50≤t≤10.6×V1.54。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102484172A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080036134.9
申请日：2010-08-03
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 优志旺电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够通过没有利用pn结的简便的构造，高效地利用表面等离子体电磁声子，高效率地放射特定波长的紫外线的紫外线照射装置。在具有紫外线透过窗的真空密封的容器内，配设至少1个以上的半导体多层膜元件、和电子束放射源而成，该半导体多层膜元件具备具有基于InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1、0＜y≤1、x+y≤1)的单一量子阱构造或者多重量子阱构造的活性层、和在该活性层的上表面形成的由铝或者铝合金的金属粒子构成且具有该金属粒子所构成的纳米构造的金属膜而成，通过对所述半导体多层膜元件照射来自所述电子束放射源的电子束，经由所述紫外线透过窗向外部放射紫外线。
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公开(公告)号：CN102484172B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080036134.9
申请日：2010-08-03
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 优志旺电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够通过没有利用pn结的简便的构造，高效地利用表面等离子体电磁声子，高效率地放射特定波长的紫外线的紫外线照射装置。在具有紫外线透过窗的真空密封的容器内，配设至少1个以上的半导体多层膜元件、和电子束放射源而成，该半导体多层膜元件具备具有基于InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1、0＜y≤1、x+y≤1)的单一量子阱构造或者多重量子阱构造的活性层、和在该活性层的上表面形成的由铝或者铝合金的金属粒子构成且具有该金属粒子所构成的纳米构造的金属膜而成，通过对所述半导体多层膜元件照射来自所述电子束放射源的电子束，经由所述紫外线透过窗向外部放射紫外线。
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公开(公告)号：CN102916337A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210258405.6
申请日：2012-07-24
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 提供一种电子束激励式光源装置，能够将来自电子束源装置的电子束效率良好地照射到半导体发光元件的一面上，并能够获取高光输出。该电子束激励式光源装置为，在真空容器的内部配置电子束源装置和半导体发光元件，该半导体发光元件被从该电子束源装置放射的电子束激励，从而放射紫外光，且构成为，在上述半导体发光元件上，设置有用于去除来自上述电子束源装置的电子束所入射的一面上的电荷的导电性的除电部件。
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公开(公告)号：CN101922628A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010203029.1
申请日：2010-06-10
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V5/04 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B3/0043 , F21K9/00 , F21K9/69 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , G02B27/0961
Abstract: 本发明提供一种使用了LED的光照射装置，能抑制累计光量的突出，实现被照射面的照度分布的均匀化。光照射装置是排列多个分段光源(2)而构成的，各分段光源(2)具有来自多个LED(23)的光所照射的积分透镜(28)及聚光透镜(291)，来自LED(23)的光被照射于工件(5)的光照射面。积分透镜(281)相对于LED(23)的一侧的各晶胞透镜的开口尺寸，由大小不相同的多个尺寸S、M、L所构成，所以在光照射面，成为在中心部分照度最高、从中心朝外缘依次照度变小的照度分布。因此，两个分段光源重叠的部分成为照度小的部分重叠在一起，可抑制分段光源间的累计光量的突出。
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公开(公告)号：CN101825237A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010128372.4
申请日：2010-03-03
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V8/00 , F21Y101/02
Abstract: 一种光照射装置，即使在LED的照度特性存在偏差时，也可使被照射面的照度均匀化，而且即使在某个LED上产生照度降低或不点亮的情况时，也可补充该照度降低，在照射区域整体上维持期望的照度。具备在同一面上配置有多个放射紫外区域的光的LED(23)的光源部(3)，将来自该光源部的射出光对与上述同一面处于相对位置的照射区域(6)进行照射，其特征为，光源部通过配置于同一基板(21)上的多个LED和导光部(24)构成段光源，将该段光源(2)在该基板延伸的方向上排列配置多个，该导光部具有从上述同一面到光射出面为止的一定长度，混合来自位于该段光源内的LED的射出光，而不会将光照射到其他的段光源的光射出面。
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