公开(公告)号：CN105006505B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201510179524.6

申请日：2015-04-15

Applicant: 传感器电子技术股份有限公司

Inventor： D·D·比林斯利 ,  R·M·肯尼迪 ,  孙文红 ,  R·杰因 ,  M·莎塔洛维 ,  A·杜博尔因斯基 ,  M·舒尔 ,  R·格斯卡

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及具有应力管理的半导体异质结构。提供了一种异质结构，包括：衬底；和在所述衬底上外延生长的族III氮化物层，其中，所述族III氮化物层包括：第一族III氮化物材料和具有第一厚度的多个子层；和第二族III氮化物材料和具有第二厚度的多个薄子层，以及其中，所述多个子层与所述多个薄子层交替，其中，所述第一族III氮化物材料包括至少0.05的镓的摩尔分数，其中，所述第一族III氮化物材料中的镓的摩尔分数与所述第一族III氮化物材料中镓的摩尔分数有至少0.05的差异，且其中，所述第二厚度是所述第一厚度的最多百分之五。

公开(公告)号：CN105006505A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510179524.6

申请日：2015-04-15

Applicant: 传感器电子技术股份有限公司

Inventor： D·D·比林斯利 ,  R·M·肯尼迪 ,  孙文红 ,  R·杰因 ,  M·莎塔洛维 ,  A·杜博尔因斯基 ,  M·舒尔 ,  R·格斯卡

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/16225 ,  H01L33/30 ,  H01L33/0062

Abstract: 本发明涉及具有应力管理的半导体异质结构。提供了一种异质结构，包括：衬底；和在所述衬底上外延生长的族III氮化物层，其中，所述族III氮化物层包括：第一族III氮化物材料和具有第一厚度的多个子层；和第二族III氮化物材料和具有第二厚度的多个薄子层，以及其中，所述多个子层与所述多个薄子层交替，其中，所述第一族III氮化物材料包括至少0.05的镓的摩尔分数，其中，所述第一族III氮化物材料中的镓的摩尔分数与所述第一族III氮化物材料中镓的摩尔分数有至少0.05的差异，且其中，所述第二厚度是所述第一厚度的最多百分之五。