苯并吡喃酮化合物的制备方法

    公开(公告)号:CN100509751C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN03809174.7

    申请日:2003-02-27

    CPC classification number: C07C205/37 C07C201/12 C07D311/24

    Abstract: 一种用于制备由式(4)表示的二羧酸化合物的方法:(4)(其中R1和R2相同或不同,并且各自为低级烷基;而波浪线表示该化合物是(E)异构体或(Z)异构体或它们的混合物),其特征在于使由式(2)表示的化合物:(2)(其中R1、R2和波浪线的含义同上;而X2和X3中的一个为氢,而另一个为卤代基),与由式(3)表示的硝基苯酚在碱存在下反应;一种用于制备由式(5)表示的硝基苯并吡喃酮化合物的方法:(5)(其中R1的含义同上),其特征在于使所述二羧酸化合物或其羧酸与酸反应;一种用于制备氨基苯并吡喃酮化合物的方法,所述方法包括使所述硝基苯并吡喃酮化合物还原;和一种用于制备酰氨基苯并吡喃酮化合物的方法,所述方法包括使所述氨基苯并吡喃酮化合物酰化。

    发光元件及对于制造该发光元件而言有用的组合物

    公开(公告)号:CN113421989B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202110651508.8

    申请日:2017-09-27

    Abstract: 本发明提供外部量子效率优异的发光元件。一种发光元件,其是具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的第一有机层、以及设置于阳极与阴极之间的第二有机层的发光元件,上述第一有机层是含有最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值为0.5eV以下的化合物(T)、且不含有磷光发光性金属络合物的层,上述第二有机层是含有包含交联结构单元的高分子化合物的交联体的层,且该高分子化合物的最低三重态激发状态的能级为2.25eV以上。

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