脱模膜及成型品的制造方法

    公开(公告)号:CN113924825B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202180003677.9

    申请日:2021-09-24

    Inventor: 山户元

    Abstract: 本发明的脱模膜(10)满足以下条件a。(条件a)将铜箔和脱模膜(10)层叠,并在175℃、2Mpa条件下实施处理150秒后,剥离铜箔和脱模膜(10)。将该处理前的铜箔的与脱模膜(10)层叠的一侧的面的表面自由能设为SC1[mJ/m2],将该处理后的铜箔的剥离脱模膜(10)的一侧的面的表面自由能设为SC2[mJ/m2]时,满足以下式(1)。SC1‑SC2≤1.7[mJ/m2](1)。

    脱模膜及成型品的制造方法

    公开(公告)号:CN115515787B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202180034332.X

    申请日:2021-08-03

    Abstract: 本发明的脱模膜(10)具有由第一热塑性树脂组合物形成的第一脱模层(1)和缓冲层(3),第一脱模层(1)的平均厚度为12μm以上且38μm以下,脱模膜(10)在180℃条件下的储存模量E’为30MPa以上。并且,脱模膜(10)的平均厚度优选为80μm以上且180μm以下,缓冲层(3)的平均厚度优选为40μm以上且110μm以下。并且,第一脱模层(1)中,与缓冲层(3)相反的一侧的表面上的十点平均粗糙度Rz优选为3μm以上且20μm以下。

    脱模膜及成型品的制造方法

    公开(公告)号:CN115515787A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180034332.X

    申请日:2021-08-03

    Abstract: 本发明的脱模膜(10)具有由第一热塑性树脂组合物形成的第一脱模层(1)和缓冲层(3),第一脱模层(1)的平均厚度为12μm以上且38μm以下,脱模膜(10)在180℃条件下的储存模量E’为30MPa以上。并且,脱模膜(10)的平均厚度优选为80μm以上且180μm以下,缓冲层(3)的平均厚度优选为40μm以上且110μm以下。并且,第一脱模层(1)中,与缓冲层(3)相反的一侧的表面上的十点平均粗糙度Rz优选为3μm以上且20μm以下。

    脱模膜及成型品的制造方法

    公开(公告)号:CN113924825A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202180003677.9

    申请日:2021-09-24

    Inventor: 山户元

    Abstract: 本发明的脱模膜(10)满足以下条件a。(条件a)将铜箔和脱模膜(10)层叠,并在175℃、2Mpa条件下实施处理150秒后,剥离铜箔和脱模膜(10)。将该处理前的铜箔的与脱模膜(10)层叠的一侧的面的表面自由能设为SC1[mJ/m2],将该处理后的铜箔的剥离脱模膜(10)的一侧的面的表面自由能设为SC2[mJ/m2]时,满足以下式(1)。SC1‑SC2≤1.7[mJ/m2](1)。

    刚挠性结合电路板的制造方法及刚挠性结合电路板

    公开(公告)号:CN101982026A

    公开(公告)日:2011-02-23

    申请号:CN200980110491.2

    申请日:2009-03-12

    Inventor: 山户元

    Abstract: 一种刚挠性结合电路板的制造方法,包括以下步骤:制备第一和第二覆盖层膜(200,250)、包含有第一和第二电路(103,153)的第一和第二电路基板(100,150)、以及第一层间粘合剂片(300);堆叠第一覆盖层膜(200)、布置为使得第一电路(103)朝向第一覆盖层膜(200)的第一电路基板(100)、位于将要形成刚性部分(700)的区域中的第一层间粘合剂片(300)、第二覆盖层膜(250)、以及布置为使得第二电路(153)朝向第二覆盖层膜(250)的第二电路基板(150),并对其进行热压。

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