公开(公告)号：CN102625952A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201080040832.6

申请日：2010-09-13

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 佐藤敏宽 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高桥丰诚 ,  出岛裕久 ,  白石史广

IPC: H01L27/14 ,  C09J7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L23/02 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2495 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 一种半导体晶片接合体的制造方法，包括：准备隔片形成用膜的工序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层；将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的一个面上的工序；通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的工序；以及在所述隔片的曾经与所述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的工序。由此，可制造出通过隔片均匀且可靠地接合半导体晶片和透明基板而成的半导体晶片接合体。

公开(公告)号：CN102326250A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008948.1

申请日：2010-02-15

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 佐藤敏宽 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高桥丰诚 ,  出岛裕久 ,  白石史广

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/02 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体晶片接合体的制造方法，其特征在于，包括：准备具有支承基材和隔片形成层的隔片形成用膜的工序；将隔片形成用膜的隔片形成层粘贴于半导体晶片上的工序；在隔片形成用膜的支承基材侧设置掩模，并使用掩模以使曝光用光透过支承基材的方式，有选择性地对隔片形成层进行曝光的工序；去除支承基材的工序；对隔片形成层进行显影，在半导体晶片上形成隔片的工序；以及将透明基板接合于隔片的与半导体晶片相反的面上的工序。

公开(公告)号：CN102822745A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180015652.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 白石史广 ,  米山正洋 ,  川田政和 ,  高桥丰诚 ,  出岛裕久

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/76898 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0385 ,  G03F7/0388 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14618 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种感光性树脂组合物，其特征在于，包含碱可溶性树脂（A）、光聚合引发剂（B）和最大吸收波长在波长800nm以上2500nm以下范围内的红外线吸收剂（D），波长400nm以上700nm以下的可见光透过率的最大值在5.0％以上。此外，本发明还涉及一种感光性树脂组合物，其特征在于，包含碱可溶性树脂（A）、光生酸剂（C）和最大吸收波长在波长800nm以上2500nm以下范围内的红外线吸收剂（D），波长400nm以上700nm以下的可见光透过率的最大值在5.0％以上。

公开(公告)号：CN1433351A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN00818688.X

申请日：2000-12-27

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 八月朔日猛 ,  冈田亮一 ,  中村谦介 ,  高桥丰诚

IPC: B23K35/363 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  B23K35/224 ,  B23K35/3612 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/563 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3489 ,  H01L2224/0401

Abstract: 一种在焊接时用作助焊剂、在经加热固化后用作焊接部位增强材料的可固化助焊剂；一种用于涂敷拥有供放置焊球的焊盘的电路图形，并在焊接后经加热固化的阻焊剂；一种半导体封装和半导体器件，该半导体封装和半导体器件中使用了供焊接用的可固化助焊剂，焊接部位是由该助焊剂经加热后增强的；制造半导体封装和半导体器件的方法，该方法包括使用供焊接用的可固化助焊剂，在焊接后，使可固化助焊剂固化以增强焊接部位。可固化助焊剂在将焊球焊接到半导体封装上和将半导体封装焊接到印刷电路板上时用作助焊剂，并在焊接后经加热固化后起增强焊接部位的作用。

公开(公告)号：CN102369481A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014318.5

申请日：2010-04-08

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 佐藤敏宽 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高桥丰诚 ,  出岛裕久 ,  白石史广

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L31/0203 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0388 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的是提供感光性树脂组合物，由该感光性树脂组合物制成的粘合膜和包括该粘合膜的光接收装置，所述感光性树脂组合物在通过曝光和显影而图案化后剩余少量的树脂残渣，并能够减少在高温和高湿环境下在半导体晶片和透明基板之间的凝结。本发明的感光性树脂组合物包含碱可溶性树脂(A)、光聚合引发剂(B)以及具有酚羟基和羧基的化合物(C)。

公开(公告)号：CN101978320A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109700.1

申请日：2009-03-16

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 白石史广 ,  高桥丰诚

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0047 ,  G03F7/038 ,  Y10T428/25

Abstract: 本发明公开了作为光敏树脂隔离物在基板和半导体元件之间形成空隙部的光敏树脂组合物，所述光敏树脂组合物包含(A)碱溶性树脂、(B)光聚合性树脂、(C)填料和(D)光敏剂，其中，所述填料的平均粒径为5-25nm，且所述填料的含量为1-15重量％。本发明还公开了用于光敏树脂隔离物的膜，所述光敏树脂隔离物由上述光敏树脂组合物构成。

公开(公告)号：CN1181949C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN00818688.X

申请日：2000-12-27

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 八月朔日猛 ,  冈田亮一 ,  中村谦介 ,  高桥丰诚

IPC: B23K35/363 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  B23K35/224 ,  B23K35/3612 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/563 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3489 ,  H01L2224/0401

Abstract: 一种在焊接时用作助焊剂、在经加热固化后用作焊接部位增强材料的可固化助焊剂；一种用于涂敷拥有供放置焊球的焊盘的电路图形，并在焊接后经加热固化的阻焊剂；一种半导体封装和半导体器件，该半导体封装和半导体器件中使用了供焊接用的可固化助焊剂，焊接部位是由该助焊剂经加热后增强的；制造半导体封装和半导体器件的方法，该方法包括使用供焊接用的可固化助焊剂，在焊接后，使可固化助焊剂固化以增强焊接部位。可固化助焊剂在将焊球焊接到半导体封装上和将半导体封装焊接到印刷电路板上时用作助焊剂，并在焊接后经加热固化后起增强焊接部位的作用。

公开(公告)号：CN102792440A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013349.3

申请日：2011-03-23

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 出岛裕久 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高桥丰诚 ,  白石史广 ,  佐藤敏宽

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片接合体的制造方法，包括通过对隔片形成层有选择性地照射曝光用光而进行曝光、并使用显影液进行显影来使壁部（104’）残留下来的工序，并且，当设定壁部（104’）的宽度为W(μm)、设定壁部（104’）的高度为H(μm)时，分别满足下列关系式 ～ ，15≤W≤3000…… 3≤H≤300…… 0.10≤W/H≤900…… ，基于此，在经过曝光处理、显影处理而形成半导体晶片与透明基板之间设置的隔片时，能够抑制或者防止显影处理中产生的固体状悬浮物作为残渣而残留下来的现象。

公开(公告)号：CN102696102A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080040403.9

申请日：2010-09-08

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 米山正洋 ,  川田政和 ,  高桥丰诚 ,  出岛裕久 ,  白石史广 ,  佐藤敏宽

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/12 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体晶片接合体的制造方法，包括：准备隔片形成用膜的工序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层；将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的一侧面上的工序；通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的工序；以及在上述隔片的曾经与上述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的工序。由此，可制造出通过隔片均匀且可靠地接合半导体晶片和透明基板而成的半导体晶片接合体。

公开(公告)号：CN102576712A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080046533.3

申请日：2010-10-14

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 高桥丰诚 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  出岛裕久 ,  白石史广 ,  佐藤敏宽

IPC: H01L27/14 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T428/21 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的树脂组合物是在半导体晶片(101′)与透明基板(102)之间设置俯视状态下呈格状的隔片(104)时使用，由含有碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的构成材料所构成，当通过隔片(104)对半导体晶片(101′)和透明基板(102)进行接合时，在其俯视状态下的基本整个面上形成隔片(104)，然后，将半导体晶片(101′)调整为1/5的厚度时的翘曲的大小为3000μm以下。另外，优选半导体晶片接合体2000在加工前的翘曲大小为500μm以下、并且在其加工后的翘曲增大率为600％以下。