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公开(公告)号:CN108473777A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680076081.0
申请日:2016-11-28
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K3/36 , C08L79/00 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明的密封用树脂组合物用于密封由SiC、GaN、Ga2O3或金刚石形成的功率半导体元件,所述密封用树脂组合物包含热固性树脂(A)和二氧化硅(B),所述二氧化硅(B)包含Fe,所述Fe的含量相对于所述二氧化硅(B)总量为220ppm以下,所述密封用树脂组合物为颗粒状、平板状或片状。
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公开(公告)号:CN108473777B
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN201680076081.0
申请日:2016-11-28
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K3/36 , C08L79/00 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明的密封用树脂组合物用于密封由SiC、GaN、Ga2O3或金刚石形成的功率半导体元件,所述密封用树脂组合物包含热固性树脂(A)和二氧化硅(B),所述二氧化硅(B)包含Fe,所述Fe的含量相对于所述二氧化硅(B)总量为220ppm以下,所述密封用树脂组合物为颗粒状、平板状或片状。
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