-
公开(公告)号：CN119674704A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411245280.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工光电子器件创新株式会社
Abstract: 本发明提供一种光半导体元件，能够以高精度对特性进行评价。光半导体元件具有：衬底，具有面取向为{100}的第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；第一半导体层，设置在所述第一主面上，形成有台面，所述台面具有激光器部以及光放大器部；第二半导体层；第一电极焊盘；第二电极焊盘；以及第三电极焊盘，所述光半导体元件具有：在俯视观察时，在所述第一电极焊盘的外侧，在所述激光器部内呈直线状行进的光的行进方向侧，位于所述激光器部的延长线上的第一区域以及与所述光放大器部重叠的第二区域，在所述第一区域内，与所述第二区域内相比，将所述第一半导体层或所述第二半导体层覆盖的金属膜的比例低。
-
公开(公告)号：CN118367441A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311595697.7
申请日：2023-11-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 井上大辅
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器元件、光学装置以及半导体激光器元件的控制方法，能够抑制光的吸收以及漏电流。半导体激光器元件具备：激光器区域，包含有源层，且生成光；放大区域，与所述激光器区域相邻，包含所述有源层，且放大所述光；以及电极，设置于从所述激光器区域到所述放大区域的范围。
-
公开(公告)号：CN112152082A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010564378.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 井上大辅
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明提供能够进行高速动作的面发射激光器。面发射激光器(100)具有：基板(20)；下部接触层(122)，设置在基板(20)上；半导体层的台面(30)，在下部接触层(122)上依次层叠有下部反射镜层(123)、有源层(124)、上部反射镜层(125)和上部接触层(127)；圆环状的电极(41)，设置在上部接触层(127)上；光出射窗(31)，射出电极(41)的圆环的内侧的激光，上部反射镜层(125)具有：第一区域(141)，包含电极(41)及光出射窗(31)的正下方；及第二区域(142)，包含设置有第一区域(141)的台面(30)内的第一区域(141)的周围及比台面(30)靠外侧的区域，第一区域(141)的质子的浓度比第二区域(142)的质子的浓度低。
-
公开(公告)号：CN114792933A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210065595.3
申请日：2022-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 井上大辅
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，其具备：衬底，其具有包含第一区域以及第二区域的主表面；极柱，其设置在第一区域上，所述极柱包含设置在第一区域上的第一导电型的第一分布布拉格反射器、设置在第一分布布拉格反射器上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型的第二分布布拉格反射器；层叠体，其设置在主表面上，所述层叠体具备上表面，该上表面具有配置在第二区域上的至少一个凹部；树脂部，其配置在至少一个凹部内；以及电极焊盘，其设置在树脂部上并且与第一分布布拉格反射器以及第二分布布拉格反射器中的任一方电连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118739028A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410224092.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工光电子器件创新株式会社
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置以及光半导体装置的制造方法，能够决定在光半导体元件的安装时以相同电位驱动的电极数。光半导体装置具有：光放大器部，对激光进行放大；多个配线焊盘，用于使电流流过所述光放大器部；以及接合线，所述光放大器部具有沿着光轴方向被分割的多个电极，所述多个电极的数量比所述多个配线焊盘的数量多，所述接合线将所述多个电极分别与所述多个配线焊盘中的一个配线焊盘连接。
-
公开(公告)号：CN118263769A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311576255.8
申请日：2023-11-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工光电子器件创新株式会社
Abstract: 本发明提供能提高输出的光半导体激光元件。光半导体元件具有：具有面取向为{100}的第一主面的衬底；设置于第一主面上且形成有台面的第一半导体层；及第二半导体层，台面具有激光部及光放大器部，激光部具有第一面和第二面，光放大器部具有第三面至第六面、端面，第一面与第二面间的第一距离小于第五面与第六面间的第二距离，第一面及第二面与衬底的{01‑1}面平行，端面与{01‑1}面垂直，第三面及第四面在与第一主面平行的面内从{01‑1}面沿互相相同的方向倾斜，第三面在与第一主面平行的面内从{01‑1}面倾斜的程度比第四面大，第五面及第六面在与第一主面平行的面内从{01‑1}面沿与第三面及第四面相同的方向倾斜，第二半导体层与第一面至第六面相接。
-
公开(公告)号：CN117498155A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310873641.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 井上大辅
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能评价半导体层的厚度。所述半导体激光元件具备：第一半导体层；以及有源层，其设置于所述第一半导体层上，所述第一半导体层为超晶格层，且包含多个第一层和多个第二层，所述多个第一层与所述多个第二层交替层叠，所述多个第一层具有互相相等的厚度，所述多个第二层具有互相相等的厚度。
-
公开(公告)号：CN112152082B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010564378.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 井上大辅
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明提供能够进行高速动作的面发射激光器。面发射激光器(100)具有：基板(20)；下部接触层(122)，设置在基板(20)上；半导体层的台面(30)，在下部接触层(122)上依次层叠有下部反射镜层(123)、有源层(124)、上部反射镜层(125)和上部接触层(127)；圆环状的电极(41)，设置在上部接触层(127)上；光出射窗(31)，射出电极(41)的圆环的内侧的激光，上部反射镜层(125)具有：第一区域(141)，包含电极(41)及光出射窗(31)的正下方；及第二区域(142)，包含设置有第一区域(141)的台面(30)内的第一区域(141)的周围及比台面(30)靠外侧的区域，第一区域(141)的质子的浓度比第二区域(142)的质子的浓度低。
-
公开(公告)号：CN115642478A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210648909.2
申请日：2022-06-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明提供一种垂直腔面发射激光器，其具备第一分布式布拉格反射器、有源层和第二分布式布拉格反射器。第一分布式布拉格反射器、有源层以及第二分布式布拉格反射器沿第一轴的方向依次排列。第二分布式布拉格反射器包含半导体区以及高电阻区。高电阻区具有比半导体区的电阻高的电阻。第一轴通过半导体区。高电阻区包围半导体区。在包含第一轴的截面中，高电阻区具有以高电阻区的内径在第一轴的方向上随着远离有源层而变大的方式在相对于第一轴倾斜的方向上延伸的内缘。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.059 seconds)
