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发明公开
垂直腔面发射激光器以及垂直腔面发射激光器的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115642478A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210648909.2

申请日：2022-06-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井上大辅 , 藤田朗人

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明提供一种垂直腔面发射激光器，其具备第一分布式布拉格反射器、有源层和第二分布式布拉格反射器。第一分布式布拉格反射器、有源层以及第二分布式布拉格反射器沿第一轴的方向依次排列。第二分布式布拉格反射器包含半导体区以及高电阻区。高电阻区具有比半导体区的电阻高的电阻。第一轴通过半导体区。高电阻区包围半导体区。在包含第一轴的截面中，高电阻区具有以高电阻区的内径在第一轴的方向上随着远离有源层而变大的方式在相对于第一轴倾斜的方向上延伸的内缘。

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